2012年上1章半导体元件及其特性.pptVIP

电子技术 1.半导体的基本特性 热敏性 半导体的导电能力随着湿度的升高而迅速增加 光敏性 半导体的导电能力随光照的变化有显著改变 杂敏性 半导体的导电能力因掺入适量杂质而发生很大变化 5.二极管应用电路举例(P8) 1) 整流（P170 ） 利用二极管的单向导电特性，将交流变成单向（即直流）脉动电压的过程，称为整流。 2).钳位 能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。 5.二极管应用电路举例(P8) 5).元件保护 (b) 共基直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE Home Next Back 16 ? 场效应管的种类多，栅-源电压可正、可负，使用更灵活。 ? 场效应管集成工艺更简单、功耗小、工作电源电压范围宽，使之更多地应用于大规模和超大规模集成电路中。 ? 一般情况下，由晶体管构成的放大电路具有更高的电压放大倍数和输出功率。 思考题 场效应管符号中的箭头方向表示什么？ 为什么FET的输入电阻比BJT的高得多？为什么MOSFET比JFET的输入电阻高？ 场效应管正常放大时，导电沟道处于什么状态？ 使用MOS管应注意些什么？ Home Next Back 17 例 题 例1.4.1 已知各场效应管的输出特性曲线如图1.4.10 所示。试分析各管子的类型。 图1.4.10 例1.4.1图 Home Next Back 18 解: (a) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS?0，故为JFET（耗尽型）。 (b) iD0（或vDS0），则该管为P沟道； vGS0，故为增强型MOS管。 (c) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS可正、可负，故为耗尽型MOS管。 提示： 场效应管工作于恒流区：（1） N沟道增强型MOS管：VDS0, VGSVGS(th) 0；P沟道反之。 （2） N沟道耗尽型MOS管： VDS0, VGS可正、可负，也可为0；P沟道反之。 （3） N沟道JFET： VDS0, V GS0 ；P沟道反之。 Home Next Back 19 图1.4.11 例1.4.2图 例1.4.2 电路如图1.4.11(a) 所示，场效应管的输出特性如图1.4.11(b) 所示 。试分析当uI=2V、8V、12V三种情况下，场效应管分别工作于什么区域。 Home Next Back 20 (c)当uI=10V 时，假设管子工作于恒流区，此时iD=2mA，故uO =uDS =VDD - iD Rd= 18-2?8=2V， uDS - VGS(th) =2-6=-4V，显然小于uGS =10V时的预夹断电压，故假设不成立 ，管子工作于可变电阻区。此时，Rds?uDS/iD=3V/1mA=3k，故 解: (a)当uI=2V 时， uI=uGS VGS(th) ，场效应管工作于夹断区，iD=0，故uO=VDD- iD Rd= VDD =18V。 (b)当uI=8V 时，假设管子工作于恒流区，此时iD=1mA，故uO =uDS =VDD - iD Rd= 18-1?8=10V， uDS - VGS(th) =10-4=6V，大于uDS =10V时的预夹断电压，故假设成立 。 Home Next Back 21 图1.4.12 解：由图中得N沟道JFET的vGS=0，此时， iD=IDSS=4mA。 而uDS|VGS(off)|=4V ，所以 vOmax=VDD -4V=12 –4=8V ，故 RL= vO / IDSS =(0~8V)/4mA=(0~2)k 。 例1.4.3 电路如图1.4.12 所示，场效应管的夹断电压VGS(off)=-4V，饱和漏极电流IDSS=4mA。为使场效应管工作于恒流区，求RL的取值范围。 22 Home Back 小 结 本讲主要介绍了以下基本内容： 场效应管的结构和类型 场效应管的工作原理 场效应管的特性曲线 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 图1.1.1 硅和锗的原子结构和晶体结构 Back Home Next 7 Back （2）输出特性曲线（图1.3.7） 饱和区：iC明显受vCE控制，该区域内，vCE=VCES＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压，集电结反偏。 放大区：iC