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《模拟电子电路》练习册 第一、二章 练习题 填空 1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为_______运动，另一种称为______运动。 2．半导体中有两种载流子：一种是______、另一种是______。 3．半导体中的扩散运动是由于载流子 而引起的。 4．半导体中的漂移运动是由于载流子 而引起的。 5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目 。 6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成_______型半导体。 7．在本征半导体中加入三价元素后,将形成________型半导体。 8．N型半导体中空穴是 载流子。 9．P型半导体中空穴是 载流子。 10．P型半导体中自由电子是 载流子。 11．N型半导体中自由电子是 载流子。 12．PN结中的电流当温度升高时将会 。 13．二极管的主要特性是它的 。 14．二极管的正向电阻比反向电阻____________得多。 15．二极管的伏安特性是I =____________。 16．硅管的门限电压约为_____________V。 17．锗管的门限电压约为_____________V。 18．稳压二极管稳压时应工作于___________区。 选择 21. N型半导体或P型半导体都属于_________(本征半导体；杂质半导体） 22.半导体中的扩散运动是由于____________（电场的作用 ；载流子浓度的不均匀）而形成。 23.二极管的反向电阻比正向电阻___________(大 ;小)得多。 24. PN结中载流子的漂移运动是由于___________(载流子浓度不均匀 ；电场的作用)而产生的。 25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻________(大得多 ；小得多) 26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层_______(变窄 ；变宽），流过PN结的电流_______(很小 ；很大）。 27. P型半导体中空穴是____________(少数载流子 ；多数载流子）。 28. N型半导体中自由电子是____________(少数载流子 ；多数载流子)。 判断 29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生__________(空穴 ；自由电子），形成________( N ；P ) 型半导体。 30.P型半导体中空穴是多数载流子。( ) 31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动相同。（ ） 32.二极管的反向电阻比正向电阻大得多。（ ） 简答 33.试述何谓P型半导体与N型半导体？ 34.试述什么是半导体中的扩散运动与漂移运动？ 35.列举出PN结的至少三个主要特性是什么？ 36.说明二极管特性曲线中三个区域的特点是什么？ 37.什么是二极管的单向导电性？ 计算 38.二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压V Ao 。设二极管是理想的。 a) b) 39.电路如图所示，电源us为正弦波电压，试绘出负载RL 两端的电压波形，设二极管是理想的。 a) b) 40.电路如图所示，设V1 = 6sinωt V, 试绘出输出电压Vo的波形。设D为硅二极管，使用恒压将(0.7V)模型(Vth = 0.6V, rd = 40Ω)进行分析。 41.电路如图所示，设二极管是理想的。（1）画出它的传输特性；（2）若输入电压V i= ui =20sinωt V, 试根据传输特性绘出一周期的输出电压Vo的波形。 第三章 练习题 填空 1．三极管各极电流Ie、Ib、Ic、之间的关系为：_______________。 2．三极管的共射极电路输入特性曲线表示_______与______之间的关系。 3．三极管的共射极电路输出特性曲线表示_______与_______之间的关系。 4．温度升高时，三极管的β值________。 5．三极管是________控制型元件。 6．三极管工作在放大区时, 应使发射结处于__________, 集电结处于_______。 7．当NPN型三极管的Vce 0.2V时, 将工作在 区。 8．放大器的输出电压动态范围Uop-p是指输出电压的________值。 9．放大器的电压放大倍数定义式为______