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《模拟电子技术》部分试题 一．选择题 1．杂质半导体中的少数载流子浓度 本征载流子浓度。 A．大于 B.小于 C.等于 2．若PN结两侧杂质浓度高，则形成的PN结 。 A．反向漏电流小，反向击穿电压低 B. 反向漏电流小，反向击穿电压高 C. 反向漏电流大，反向击穿电压高 3．在室温下，对于掺杂浓度相同的P型和N型半导体 。 A．两者导电能力相同 B．P型半导体导电能力强 C．N型半导体导电能力强 4．在N型半导体中 。 A．只有自由电子 B．只有空穴 C．有空穴也有自由电子 ５．掺入五价杂质元素的半导体是　　　。 　Ａ．Ｐ型半导体　　Ｂ．Ｎ型半导体　　Ｃ．本征半导体 ６.如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压UCE＜１Ｖ，则它处于　　　　。 　Ａ．放大状态　　Ｂ．饱和状态　　Ｃ．截止状态　 ７.测得一放大电路中某三极管三个电极电位分别为①端＝２Ｖ，②端＝4.8V,③端=1.3V,基极是 。 A. ①端 B.②端 C.③端 8.已知一个三极管的=200uA,当=20uA时,=1mA，= 。 A. 8 mA B.10 mA C. 4uA 9.以下器件中动态电阻大，直流电阻小的是 。 A.二极管 B.三极管c、e极间 C.稳压管 10.检查放大器中的三极管在静态时是否进入截止区，最简单、可靠的方法是测量 值。 A. B. C. 11.当温度升高时，二极管的正向电压 ，反向电流 。 A.增大 B.减小 C.基本不变 12．某放大电路中正常工作的三极管，已测得三个电极分别为2.7V、 2V 、 6V。可判定该管是 。 A. NPN型锗管 B.NPN型硅管 C.PNP型锗管 13.一台电子设备为防止接地点产生干扰和噪声电压，接地点尽可能 。 A.分散 B.集中 C.在接地点串个电容 14.在放大电路中使用的晶体三极管，当 晶体管就要损坏。 A.工作电流超过值 B.工作频率超过值 C.耗散功率超过值 D.反向电压超过值 15.放大电路的放大作用，是指输出 的关系。 A.脉动分量与输出信号 B.交流分量与三极管的静态 C.交流分量与输入信号 16.基本放大电路的电压放大倍数，在低频段下降的主要原因是 。 A.耦合电容的容抗随频率的降低而增大 B.三极管的极间电容 C.三极管本身的 17.结型场效应管是利用PN结加反向电压时对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽窄，从而控制 的大小。 A.漏极电流 B.源极电流 C.栅极电流 18.下列器件中，属于单极型晶体管的是 。 A.二极管 B.三极管 C.场效应管 19.二极管中电流 ；三极管中e极到c极的电流 ；场效应管中的漏极电流 。 A.穿过两个PN结 B.穿过一个PN结 C.不穿过PN结 20.三极管的各电极电流由 组成，而场效应管的各电极电流由 组成。 A.多子 B.少子 C.多子和少子 21.由三节移相电路作为正反馈网络的RC振荡器，其放大器输出信号与输入信号的相位差可以为 。 A. B. C. D. 22.在文氏电桥RC振荡器中，设深度负反馈支路中的电阻=1k,为了满足起振条件，反馈电阻的值不能小于 。 A. 3 k B. 2 k C. k D. k 23.在并联型晶体振荡器中，对于振荡信号，石英晶体相当于一个 。 A.阻值极小的电阻 B.阻值极大的电阻 C.电感 D.电容 24. 在串联型晶体振荡器中，对于振荡信号，石英晶体相当于一个 。 A.阻值极小的电阻 B.阻值极大的电阻 C.电感 D.电容 25.石英晶体振荡器的主要优点是 。 A.频率高 B.频率稳定度高 C.振幅稳定 26.一般的互补对称功放，其电压放大倍数 。