《模拟电子技术基础》复习提纲.docVIP

《模拟电子技术基础》复习提纲 命题依据及原则 1. 命题依据：本课程的考核是依据： 黄丽亚，杨恒新编著. 模拟电子技术基础[M]. 北京：机械工业出版社,2009 . 2.命题原则： 考核命题突出课程的重点内容和基本知识； 兼顾各个能力层次，在一份试卷中，各层次题目所占比例为基本概念25%、理解40%、应用35%； 合理分布题目难易程度。题目的难易程度分为：易、较易、较难、难四个等级。在一份试卷中各个等级所占分数比例为：易40%、较易30%、较难20%、难10%。试题的能力层次和难易程度是两个不同的概念，在各个能力层次中，都可以含有难易程度不同的题目，命题时将两者兼顾，在一份试卷中保持合理结构。 课程考试内容和要求 1 半导体二极管及其应用1.1 半导体物理基础知识1.2 PN结1.3 半导体二极管及其基本电路1.4 特殊二极管基本要求： 了解本征半导体、杂质半导体和PN结的形成及其特性。掌握晶体二极管的特性和主要参数。掌握普通二极管、稳压二极管构成的基本电路的组成、工作原理及分析方法。 双极型晶体管及其放大电路2.1 双极型晶体管的工作原理2.2 晶体管的特性曲线2.3 晶体管放大电路的放大原理2.4 放大电路的静态分析和设计2.5 共射放大电路的动态分析和设计2.6 共集放大电路（射极输出器）2.7 共基放大电路2.8 多级放大电路基本要求: 掌握双极型晶体管的工作原理、特性和参数。掌握双极型晶体管的小信号模型。了解模型参数的含义。晶体管基本放大器的组成、工作原理及性能特点。掌握静态工作点的基本概念和偏置电路的估算。掌握图解分析法小信号等效电路分析方法，掌握动态参数（）的分析方法。掌握多级放大电路动态参数的分析方法。 场效应晶体管及其放大电路3.1 场效应晶体管3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路3.3 场效应管放大电路基本要求： 了解场效应管内部工作原理及性能特点。掌握场效应管的外部特性、主要参数。了解场效应管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点。掌握放大电路静态工作点和动态参数（）的分析方法。 集成运算放大电路.1 集成运算放大电路的特点.2 电流源电路.3 以电流源为有源负载的放大电路.4 差动放大电路.5 集成运算放大电路的外部特性及其理想化基本要求： 了解差分放大电路的组成和工作原理，掌握静态和动态参数的分析方法。掌握电流源电路的结构、工作原理和分析方法。了解典型集成运算放大器的组成及其各部分的特点，其电压传输特性和主要参数。 反馈.1 反馈的基本概念及类型.2 负反馈对放大电路性能的影响.3 深度负反馈放大电路的近似计算.4 负反馈放大电路的稳定性基本要求： 掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法。掌握深度负反馈条件下放大电路的近似估算法。负反馈对放大电路性能的影响。 集成运算放大器的应用.1 基本运算电路.2 电压比较器基本要求： 理想集成运算放大器的概念。掌握由集成运算放大器组成的基本运算电路的分析方法。掌握理想集成运算放大器构成的加法器、减法器的结构、工作原理和分析方法。典型电压比较器的电路组成、工作原理和性能特点。 功率放大电路.1 功率放大电路的特点与分类.2 甲类功率放大电路.3 互补推挽乙类功率放大电路基本要求： 了解功率放大电路的类型及特点。了解功率放大电路最大输出功率和转换效率的分析方法。掌握乙类推挽功率放大器的电路组成、工作原理、分析方法和性能特点。