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Sivaco 一个NMOS工艺流程步骤（转） 2011-04-30 16:25 sivaco学习小结，一个简单NMOS工艺步骤，现总结如下： -- ：代表所需命令 1. 启动sivaco 进入deckbuild工作环境，本仿真过程使用Athena工具 --go Athena 2.定义网格 --# non_uniform Grid(0.6um*0.8u)line x loc=0.00 spac=0.10line x loc=0.20 spac=0.010line x loc=0.60 spac=0.010# 不均匀网格line y loc=0.00 spac=0.008line y loc=0.2 spac=0.01line y loc=0.5 spac=0.05line y loc=0.8 spac=0.15 3. 衬底初始化 P型 掺B 浓度10e4 二维结构图 --# Initial silicon structure with100 orientationinit silicon c.boron=1.0e14 orientation=100 two.d4. 栅氧化 // 生成栅氧化层 条件：11分钟 1个大气压 950摄氏度 3%盐酸 --# Gate oxidationdiffus time=11 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=3 注：此时可以用抽取命令查看氧化结果 查看各处SiO2厚度 -- extract name=gate oxide thickness material=SiO~2 mat.occno=1 x.val=0.3 // 在适当的范围内调整查看 5.阈值电压调整 注入B离子，改变衬底浓度，从而达到调整阈值电压的目的 条件：采用 9.5e11 能量10kev 模型用Daul pearson Rotation 30 tilt 7 --# Threshold voltage Adjust Implantimplant boron dose=9.5e11 energy=10 tilt=7 rotation=30 crystal 注：掺杂完成后，可以通过 tonyplot对结果进行分析，查看 tonyplot 打开生成结构文件，tool--cutline命令，可以查看Boron浓度分布 6.淀积多晶硅 采用共形淀积模型（conformal deposition），共形淀积是最简单的淀积模型，可用于对沉积层并无特别要求的所用情形。 淀积厚度 0.2um divisions =10表示在淀积层上增加10个网格，以共精确计算 --# conformal polysilicon depositiondeposit polysilicon thick=0.20 divisions=10 7.简单几何刻蚀 就是多晶硅栅极定义，本例中，多晶硅栅及边缘在0.35处，中心在最右边，故需要把0.35以左的多晶硅全部刻掉。 --# polylilicon definition#etch poly left p1.x=0.35 8.多晶硅氧化 目的是为了进行下一步的多晶硅离子注入掺杂 条件：900 temperature 、3 minute 、Ambient Wet O2 Diffusion Models fermi Oxidation Models compressible --# polysilicon oxidationmethod fermi compressdiffus time=3 temp=900 weto2 press=1.00 9. 多晶硅掺杂 多晶硅 用磷掺杂以形成N+多晶硅 剂量3e13 注入能量为20kev --# Polysilicon Doping implant phosphor dose=3e13 energy=20 tilt=7 rotation=30 crystal 10.隔离氧化层淀积 # Spacer Oxide Deposion 源漏离子注入之前必须进行隔离氧化层淀积，隔离氧化层厚度0.12um 可选用参数命令如下： deposit oxide thick=0.12 divisions=10 磷的分布曲线 11、形成侧墙氧化隔离，即把上一步淀积多余的本部分刻蚀掉 # Spacer Oxide etchetch oxide dry thick=0.12 12、源/漏极注入与退火 为了形成NMOS 的n+源/漏，,采用的是砷，其剂量为5×1015cm-3,注入能量为50KeV --# Source/Drain Implantimplant Arsenic dose=5e15 energy=50 tilt=7 rotat