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第三章 场效应管及基本放大电路 MOS场效应管 结型场效应管 场效应管的主要参数和微变等效电路 场效应管基本放大电路 第一节 MOS场效应极管 场效应管：是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是以输入电压控制输出电流的的半导体器件。 由于BS短接，G与衬底B间产生电场，GB相当两个平板，电子被正极板吸引，空穴被排斥，出现一薄层负离子的耗尽层。 耗尽层中的少子——电子，将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍不能形成漏极电流ID。 UGS固定，且UDS很小时： UDS与漏极电流ID之间呈线性关系。 UGS＜0时； 随着UGS反向增加，ID逐渐减小。 直至ID=0。 对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UP 表示。 P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同。 区别是导电的载流子不同，供电电压极性不同。 同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 场效应管的特性曲线类型比较多：根据导电沟道不同，以及增强型还是耗尽型,可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。 如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限。 为便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定。 有关曲线绘于下图之中。 第二节 结型场效应三极管 JFET的结构与MOSFET相似， 工作机理也相似。如图: 在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹一个N型沟道的结构。 P区即为栅极; N型硅的一端是漏极; 另一端是源极。 ①栅源电压对沟道的控制作用 (三)结型场效应的特性曲线 与NMOSFET的转移特性曲线很相似； 区别在于NMOSFET的栅压可正可负， 而NJFET的栅压只能为负电压。 ①栅源电压对沟道的控制作用 4.当漏极电流为零时:所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP、这一过程如动画所示。 (三)结型场效应三极管的特性曲线 它与耗尽型MOSFET的特性曲线基本相同，只不过MOSFET的栅压可正可负， 而结型场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电的绝对值，场效应管不能导通(即IG =0)。 四 场效应三极管的型号 1.与双极型三极管相同： 第三位字母 J 代表结型场效应管，O 代表绝缘栅型场效应管。 第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。 例如3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 (a)漏极输出特性曲线（动画2-6） (b)转移特性曲线（动画2-7） 结型场效应三极管的特性曲线 JFET的特性曲线： 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 第三节 场效应管的主要参数和微变等效电路 一 场效应管的直流参数 二 场效应管的微变参数 三 场效应管的型号 四 场效应管的微变等效电路 夹断电压是耗尽型FET的参数，当漏极电流为零时, UGS=U P 耗尽型场效应三极管当UGS=0时所对应的漏极电流。 一 场效应三极管的直流参数 ①开启电压 UT ②夹断电压UP ③饱和漏极电流IDSS ④场效应管栅源输入电阻RGS： 栅源间加固定电压UGS栅极电流IGS之比，输入电阻的典型值: 结型场效应管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅场效应管RGS约是109～1015Ω。 ?漏源、栅源击穿电压BUDS 、 B UGS ①低频跨导gm 低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制作用，gm可以在转 移 ?特性曲线上求取，单位是mA/V或mS(毫西门子)。 二 场效应管的微变参数 (1).图解法求解：在曲线上作切线，其斜率为gm (2).解析法求解： 增强型MOSFET: gm =1/ Ron 耗尽型MOSFET: gm =-(1- UGS / Up )?2 IDSS/ Up ②衬底跨导gmb ③漏极电阻rdS ：可在输出特性曲线上求解 ④导通电阻Ron： ?极间电容: 包括CgS 、 Cgd、 Cgb 、 Csd 、 Csb 、 Cdb。 在恒流区（即可变电阻区）： 下表列出了MOS管参数 表3-2 常用场效应三极管的参数 三 场效应管的微变等效电路 1.低频等效电路： Ugs + - gm Ugs 1/gds + - Ugs + Id FET低频微变等效电路（ dUBS=0） 2.高频等效电路： FET高频微变等效电路（ dUBS=0） Ugs G S gm Ugs 1/gds D S Ugs Id Cds Cgs CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。 例如CS14A、CS45G等