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第一章 半导体二极管 §1.1　半导体的基础知识 本征半导体： 1.N 型半导体和 P 型半导体 ?2.PN结的单向导电性 （1）正向偏置：P区接高电位，N区接低电位，简称PN结正偏。 PN结正偏:外电场使多子向PN结移动，中和部分离子使空间电荷区变窄。扩散运动加强形成正向电流IF。IF=I多子-I少子≈I多子 PN结处于导通状态且呈低阻特性。 （2）反向偏置： P区接低电位，N区接高电位，简称PN结反偏。 PN结反偏：外电场使多子子背离PN结移动，空间电荷区变宽。漂移运动加强 形成反向电流IR IR=I少子≈0 PN结处于截至状态且呈高阻特性。 结论：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 3.PN结的击穿特性 一、 半导体二极管的结构和类型 3.二极管的伏安特性 三、二极管的主要参数 结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。高频时，因容抗减小，使结电容分流，导致单向导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。 一、理想二极管及二极管特性的折线近似 归纳： 2、恒压降模型： ?正偏电压 UD(on) 时导通，等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开。 二、发光二极管LED（Light Emitting Diode） * 一、本征半导体 1．导电材料分类：导体： 电的良导体，如纯金属及其合 金、 酸碱盐水溶液等。 绝缘体： 电的不良导体，如陶瓷、橡胶等。 半导体 ：?导电能力介于导体和绝缘体之间的 物质，如硅、锗、砷化镓等。 2．本征半导体： 纯净的晶体结构完整的半导体。 如硅、锗单晶体。（均为4价元素） 四价元素外层四个电子 原子实或惯性核 为原子核和内层电子组成 价电子为相邻两原子所共有 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征激发 电子空穴 成对产生 自由电子（带负电-e) 空穴（带正电+e) ?3.本征激发： 4.载流子 ：自由运动的带电粒子：电子带负电：－e=-1.6×10-19c,空穴带正电:e=1.6×10-19c. +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 复合（电子空穴对成对消失） 5.复 合：??? 自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 E外 电子电流:IN 空穴电流:IP 6.漂 移：自由电子在电场作用下沿电场的反方向定向运动形成电子电流IN。共有电子的递补运动，相当于空穴沿电场的方向运动形成空穴电流IP。 共有电子 递补运动 ?7.?两种载流子: 电子(自由电子)和空穴。 ?8.?两种载流子的运动：自由电子(在共价键以外)的运动 ； 空穴(在共价键以内)的运动。 结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 二、杂质半导体 在本征半导体中参入微量杂质元素可提高半导体的导电能力，参杂后的半导体称为杂质半导体。根据参入杂质的不同可分为N型半导体和P型半导体。 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 空穴为多数载流子 电子为少数载流子 2.杂质半导体的导电性能:主要取决于多子浓度，而多子浓度主要取决于掺杂浓度，其值较大且稳 定，因此导电性能得到明显提高。少子浓度主要与本征激发有关，对温度敏感，温度升高，其值增大。 电子电流 空穴电流 三、 PN 结 1.PN结（PN Junction）的形成 P区和N区交界面处形成的区域称为PN结。 形成原因主要有以下三个： (1)载流子的浓度差引起多子的扩散 (2)复合使交界面形成空间电荷区 (耗尽层) (3)扩散和漂移达到动态平衡????? 扩散运动是浓度差决定的自 然现象；漂移运动则是电场 作用下产生的。 （5）齐纳击穿：由高浓度掺杂材料制成的PN结中耗尽区宽度很窄，即使反向电压不高也容易在很窄的耗尽区中形成很强的电场，将价电子直接从共价键中拉出来产生电子-空穴对，致使反向电流急剧增加，这种击穿称为齐纳击穿。 （1）反向击穿：当加于PN结两端的反向电压增大到一定值时，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。 （2）电击穿：反向击穿后，只要反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，PN结一般不会损坏。若反向电压下降到击穿电压以下后，其性能可恢复到原有情况，即这种击穿是可逆的，称为电击穿； （3）热击穿：若反向击穿电流过大，则会导致PN