二极管和晶体管.ppt

电工学—电子技术 授课教师： 章 伟 Email：wzhang@sues.edu.cn 对电的研究分类及电工学作用 电子——研究电子器件生产发展及应用的学科 电力——研究电力生产发展及应用的学科 无线电——研究通信、遥控、导航等电路技术的学科 从“三电”的共同性基本规律与相应关系出发，研究电与磁的基本规律与分析方法的科学称为电工学。它是一门专业技术基础课，为今后专业技术课打下理论基础，并培养实践能力。 电子元件发展过程 爱迪生发明电灯 电子元件发展过程 四极管、五极管 电子元件发展过程 1958年，美国人提出了用半导体制作全部电路的集成电路化方案 思考题 什么是半导体？ 半导体有什么特点？为什么具有这些特点？ 10.1.2 N型半导体和 P 型半导体 10.1.2 N型半导体和 P 型半导体 10.2 PN结 10.2.1 PN结的形成 10.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 10.3 半导体二极管 10.3.1 基本结构 10.3.2 伏安特性 10.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 10.3.4 稳压二极管 3. 主要参数 10.4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 10.4.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 10.4.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O DZ (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 解： ui ＝12V 6V，稳压二极管稳压， uo = 6V 已知： UZ＝6V，试画出 uo 波形。 例4： 参考点 稳压二极管反向击穿时，起稳压作用，其阴极电位为6 V D R uo ui + + – – Z 10.4 半导体三极管 10.4.1 基本结构 晶体管的结构 (a)平面型； (b)合金型 B E P型硅 N型硅 二氧化碳保护膜 铟球 N型锗 N型硅 C B E C P P 铟球 (a) (b) 半导体三极管 晶体管的结构示意图和表示符号 (a)NPN型晶体管； (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC 晶体管电流放大的实验电路  设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 2. 各电极电流关系及电流放大作用 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电