课题2 三极管常用半导体器件.pptVIP

主题9 常用半导体器件 课题2 三极管 目标1 认识三极管 三极管又称晶体三极管或半导体三极管，它是在一块本征半导体中按特定方式进行掺杂，构成三个杂质区、两个 PN 结，从每个杂质区各引出一个电极，然后封装而成的。如图9-7 所示为日常生活中常见的三极管。 一、三极管的类型 三极管分为NPN和PNP两个基本类型，基区为P型半导体的称为NPN型三极管，基区为 N 型半导体的称为PNP型三极管，它们的结构示意图和电路中的符号如图 9-8 所示。 三极管的种类很多，具体分类如图 9-9 所示。 三极管内的电流分配关系满足发射极电流等于基极电流与集电极电流之和，即 三、三极管的特性曲线 1.输入特性曲线 （2）饱和区 饱和区是指 UCE 较小的区域，此区域内，三极管处于饱和状态，即IC不随IB的增大或减小而变化，且UCE的数值较小。三极管饱和时的UCE称为饱和压降。一般小功率硅管的饱和压降约为0.3V，锗管的饱和压降约为0.1V 。三极管处于饱和状态的条件是发射结和集电结均正偏。 （3）放大区 截止区和饱和区之间的区域称为放大区，此区域内三极管处于放大状态，即IC的变化受到IB的控制，IC的变化量比相应的IB的变化量大得多，即ΔIC=βΔIB，具有电流放大的作用。三极管处于放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏。 三极管工作于放大状态时，具有电流放大作用；工作于截止和饱和状态时，相当于一个由基极电流控制的无触点的开关，具有开关作用（饱和时 C、E 间相当于开关闭合，截止时 C、E 间相当于开关断开）。三极管的工作状态可以根据各极电位的高低来判定，具体见表 9-5 。 四、三极管的主要参数 1.直流电流放大系数β和交流电流放大系数β 一般情况下，β与β近似相等，在实际应用中，可认为β= β。β值一般在 20 ~ 200 之间。β值太小则放大能力差，太大则工作不稳定，一般选用 30 ~ 100 为宜。 2.集-射极反向饱和电流ICEO ICEO是指三极管基极开路（IB = 0），在集电结外加反向偏置电压时所形成的饱和电流，又称穿透电流。当温度不高时，ICEO的数值比三极管工作电流小很多，但它会随温度的升高而快速增加，因此它的数值越小，三极管的热稳定性越好。通常硅管的ICEO比锗管的ICEO要小得多，所以硅管的热稳定性比锗管好。 3.集-基极反向饱和电流 ICBO ICBO 是指三极管的发射极开路（IE= 0），在集电结外加反向偏置电压时，所形成的反向饱和电流。ICBO 的大小标志着集电结质量的好坏，其值越小越好。ICBO 会随温度的升高而增加，小功率锗管的 ICBO 约为10μA ，而硅管的ICBO 通常小于1μA 。 4.集电极最大允许电流 ICM ICM 是指三极管的β值下降不超过允许范围（对于三极管，随着IC上升至一定值以后，β将显著下降）时的集电极最大电流。当ICICM 时，三极管的性能明显变差，甚至有可能烧毁。 5.集-射极反向击穿电压U(BR) CEO U（BR）CEO是指基极开路（IB=0），造成集电结反向击穿时所加在集电极和发射极之间的最大允许电压。三极管使用时，要求UCEU（BR）CEO。U（BR）CEO会随温度的升高而降低。 6.集电极最大耗散功率PCM PCM 是指集电极上所允许的功率损耗最大值。三极管工作时要求实际功率 PC PCM ，否则三极管会因过热而烧毁。 综上所述，三极管的安全工作区由 ICM、U（BR）CEO和 PCM 三个极限参数所划定。使用时，要求 ICICM、UCEU（BR）CEO、PC PCM。 目标2 识别与检测三极管 1. 基极的判别与管型的确定 将万用表调至欧姆挡（测小功率管选“R×1 k”挡；测大功率管选“R×1”或“R×10”挡），利用 PN 结的单向导电性（正向电阻远小于反向电阻）的原理来判别三极管的基极。 分别假设三极管三个管脚的基极，先用黑表笔搭接第一个假设基极、红表笔分别搭接另两极，若两次测试时的指针偏转角度均较大（正向电阻小），则黑表笔所接为基极且管型为NPN型；若指针偏转不大，则再试第二、第三个假设基极。三个假设基极全部试完后，指针偏转仍不符合要求，则说明该管为 PNP 型，基区为N区，再用红表笔搭接假设基极，黑表笔分别搭接另两极，当指针偏转符合要求时，红表笔所接为基极。 2. 集电极与发射极的判别 对于确定管型的三极管，将剩下的两个管脚先后假设为集电极，在基极与假设集电极之间介入人体电阻，用欧姆挡测试，然后根据两次测试下的指针偏转角大小，判别出实际的集电极和发射极。偏转角度较大时，若三极管为 NP