2.2 直流特性Microsoft PowerPoint 演示文稿.pptVIP

第二章 pn结二极管 pn Junction Diode §2.2 pn结基本电学特性 2.2.1 直流特性 一、载流子输运即是电流形成过程 正 偏--- （1）内电场被削弱，载流子扩散运动大于漂移运动? （2）空间电荷区边界电子和空穴浓度高于平衡值?电子向p区扩散，空穴向n区扩散（---称为非平衡少子注入）? 一、载流子输运形成电流过程 （3）非平衡少子边扩散边与多子复合， 并在扩散长度处基本被全部复合。 （4）被复合多子从外电极提供，构成---正向（扩散）电流 。 非平衡少子扩散并被复合的区域称为非平衡少子扩散区。 分析正反偏时电流形成过程 正偏： V0 ，势垒区内电场↓，漂移作用↓扩散作用占优，电子、空穴从 区向 区扩散；电子空穴在势垒区 区边界堆积，高于平衡浓度，电子空穴进一步从边界处向 区内部扩散形成 从 区到 的电子空穴流，总电流为从p区向n区 正偏载流子输运示意图 当V增大，势垒区边界处少子堆积增多，电流↑ 正偏—内电场被减弱 分析反偏时电流形成过程 反偏---内电场被加强 载流子漂移运动大于扩散运动；空间电荷区边界少子浓度低于平衡值；扩散长度范围内少子向 xm内扩 散，并在电场作用下漂移进对方； 扩散长度内少子浓度低于平衡值；扩散长度内产生电子---空穴对；产生的多子漂移向电极； 产生的少子向 x m内扩散，并在电场作用下漂移进对方并漂移向电极---形成反向（漂移）电流。 反偏时载流子输运示意图 二、理想pn结模型（四个假设） （1）不考虑势垒区中的产生与复合 结果：电子、空穴电流通过势垒区时保持不变 （2）小注入 结果：多子浓度约等于平衡时浓度，对少子只需要考虑扩散电流 （3）耗尽层近似 结果：空间电荷区为高阻区，外加电压几乎降落在空间电荷区 二、理想pn结模型 （4）势垒区两边界处载流子浓度服从波尔兹曼分布 结果： 少子浓度规律 提示： 势垒区一侧边界处少子浓度等于本侧边界处平衡时少子浓度乘以 三、伏安特性方程 1、分析思 路： A.空间电荷区任一截面的空穴流密度与电子流密度之和相等，即为pn结的总电流； 分别求出空间电荷区边界空穴流密度和电子流密度，二者之和则构成pn结电流密度。 ——（前面的假设（1） ） 1、分析思路 B.忽略空间电荷区内载流子的产生和复合，即空间电荷区二侧边界处电子流密度与空穴流密度各自分别相等； pn结电流则可用p区侧边界电子流与n区侧边界空穴流密度之和表示。 ——(前面的假设（2）和（3）) 1、分析思路 C. 分别求解少子电子和少子空穴在其扩散区的载流子连续性方程，可得到非 平衡少子电子和非平衡少子空穴在其扩散区的分布函数； 根据扩散方程，即可求得空间电荷区p区侧边界处的电子流密度，n区侧边界处处空穴流密度。 1、分析思路 2、空穴的连续性方程 空穴在其扩散区内连续性方程 3、非平衡少子的关系式 求得 4、非平衡少子的分布 正偏时势垒区两边界附近少子浓度的变化 4、非平衡少子的分布 反偏时，V＜0 4、非平衡少子的分布 反偏时势垒区两边界附近少子浓度的变化 5、少子的电流密度 那么电子和空穴的电流密度分别为 5、少子的电流密度 6、 pn结伏安特性方程 pn结电流密度（伏安特性方程）： 6、 pn结伏安特性方程 若反偏时∣V∣ KT/q，那么 6、 pn结伏安特性方程 伏安特性方程又可表示为： 四、PN结伏安特性方程的讨论 1、电流密度示意图 正偏时少子在二极管中扩散电流密度示意图 1、电流密度示意图 反偏时少子在二极管中扩散电流密度示意图 2、单向导电性与I-V特性曲线 正偏时： 若V0.1V, 2、单向导电性与I-V特性曲线 反偏时： 若 2、单向导电性与I-V特性曲线 I-V特性曲线 2、单向导电性与I-V特性曲线 关于正向导通电压 定义：实际上是使通过pn结电流达到电路工作时要求的数据范围（1mA）时pn结上的外加电压。 例子：对于硅，一般若V=0.7V,I=4.93mA; 要使I＝1mA，则V＝0.656V 2、单向导电性与I-V特性曲线 Pn结的正向特性曲线 3、pn结电流与两边掺杂浓度的关系 单边突变结： 正向电流 (取决于从n区到p区的电子电流) 主要是重掺杂一边向轻掺杂一边注入的电流，其中， 反向饱和电流主要取决于轻掺杂情况。 4、I-V特性与半导体材料的关系 a.不同材料pn结反向饱和电流差别很大 b.要使电流相同，不同材料pn结需要的外加电压大小有明显差别 5、pn结直流I-V特性与温度