生长结工艺的双极型晶体管设计.docVIP

生长结工艺的双极型晶体管设计 一、课程设计的内容 本课程设计要求利用ISE软件进行生长结工艺的双极型晶体管设计。 根据图示在MDRAW中画出边界，并进行均匀掺杂，其中E、B、C三个区域都是在Si上掺杂； 其中Ne=5*1018 ，Nb=2*1017，Nc=4*1015 单位：/cm3 ； 利用tecplot_ise画出V(X)，E(X)，估计耗尽层宽度； 设 , 其中V(X) , E(X) , p(x) , n(x) ,及电流密度。 利用，，推导出γ和β。 二、课程设计的目的 通过本课程的学习和训练，了解和掌握本专业基本课程的前提下，在教师的指导下，结合具体设计内容，掌握课程设计的完整过程和各个环节、基本方法和途径，能够根据相关资料或在教师辅导的前提下，利用所学理论完成预定题目的综合性设计。巩固和系统掌握电子科学与技术专业的基本理论知识和各种现代设计工具， 通过多人共同完成一项设计任务使我们认识到与人协作的重要性及协作技巧。提高我们理论联系实际的能力、增强学以致用的思维意识，提高专业素质。 三 、课程设计的流程 （一）以Si为介质时的晶体管仿真 1、桌面右键——选中New Terminal——键入mdraw进入软件 （1）按照实验内容要求，画出晶体管模型： 将Exact Coordinates选中，点击左上角ADD Rectangle，在面板上任意画个矩形，此时弹出一个对话框，如下图所示： 输入如下数值： left：0 right：6.2 top：0 bottom：1 给晶体管加电极 选中set/unset contacts按钮，单击ADD CONTACT弹出对话框。 发射极：输入Name：emitter，点击OK，用鼠标点击发射极的左边界。 基 极：点击ADD Point，选中Exact Coordinates，加入点x=1，y=0和点x=1.2，y=0，再单击ADD CONTACT弹出对话框，输入Name：base，点击OK，用鼠标点击基极的上边界。 集电极：再单击ADD CONTACT弹出对话框，输入Name：collector，点击 OK，用鼠标点击集电极的上边界。 所得图形如下图所示： （3）杂质掺杂：点击右下角Doping，再点击左上角ADD Contact P，在晶体管 区域画一个矩形，此时弹出一个对话框，如下图所示： 输入如下数据： profile name：Ne concentration=5e+18，species：As X0:0 Y0:0 X1:1 Y1:1 点击OK,此时已将发射区掺杂完毕，接下来重复上面步骤实现基区与集电区掺杂： 基区输入 profile name：Nb concentration=2e+17，species：B X0:1 Y0:0 X1:1.2 Y1:1 集电区输入 profile name：Nc concentration=4e+15，species：As X0:1.2 Y0:0 X1:6.2 Y1:1 （4）构建网格：点击ADD Refinement,点击Exact Coordinates,在晶体管区域画一个矩形，此时弹出如下对话框： 输入如下数据： X0:0 Y0:0 X1:6.2 Y1:1 Max Element Width: 0.1 Max Element Height: 0.1 Min Element Width：0.01 Min Element Height：0.01 点击ADD ,选中第一项添加后，点击OK. 最后点击菜单栏Mesh——Build Mesh，构建网格 保存文件：点击File——Save All ，保存成文件名npn。 2、编写程序 桌面右键点击New terminal——键入gedit npn_des.cmd 编写程序如下： File { * Input Files Grid = npn_mdr.grd Doping = npn_mdr.dat * Output Files Plot = npn_des.dat Current = npn_BJT_des.plt Output = npn_BJT.log } Electrode { { Name=emitter Voltage=0.0 } { Name=base Voltage=0.3 } { Name=collector Voltage=3.8 } // 此时Vcb=3