二极管的认知及应用.docVIP

项目一 二极管的认知及应用 1.1半导体的基本知识 1.1.1 导体、半导体和绝缘体 物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，导电能力很强的物质称为导体，如铜、铝等金属。导电能力很弱的物质称为绝缘体，如塑料、玻璃等。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常用的半导体材料是硅（Si）和锗（Ge），其中硅用的最为广泛。 2本征半导体和杂质半导体 1. 本征半导体 本征半导体就是纯净的不含杂质的半导体。 常用的半导体材料硅（Si）和锗(Ge)都是四价元素，正常情况下都是晶体。在原子结构中，最外层轨道有四个价电子，如图1.1所示。 图1.1硅和锗的原子结构简化模型 大量的半导体原子集合到一起，各原子间形成有序的排列，相邻原子是以共价键的形式结合起来。在绝对温度为零度（0K，相当于-273.15℃）时，由于每个价电子都被共价键束缚，不能自由移动。这时，本征半导体是不导电的，相当于绝缘体。如图1.2所示。 在室温下，本征半导体中的价电子从外界获取能量挣脱共价键束缚成为自由电子，同时在原来的位置上产生一个价电子空位，如图1.3所示。这种电子空位形象地称为“空穴”。故在本征半导体中，自由电子和空穴是成对出现的，称之为电子空穴对。这一现象称为本征激发。电子带负电，空穴带正电，统称为载流子。本征激发出来的自由电子在运动过程中，也会再回到公价键位置上填补空穴，使电子空穴对消失，这一过程称之为复合。 图1.2 本征半导体的晶体结构图 由于本征激发产生的电子空穴对数目很少，载流子浓度很低，所以导电性很弱。 图1.3 本征激发产生电子空穴对示意图 2. 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的三价元素或五价元素，其导电能力将大大提高（提高几十万倍以上）。称之为杂质半导体。例如在本征半导体硅中掺入微量的五价元素磷，它用四个价电子与相邻四个硅原子组成共价键后，还剩余一个电子，这个电子不受共价键束缚，成为自由电子，如图1.4所示。使掺入磷的硅半导体中，自由电子的数量大大多于空穴数量，电子成为多数载流子，简称多子，空穴成为少数载流子，简称少子。由于这种杂质半导体主要靠自由电子进行导电，所以称为电子型半导体，简称N型半导体。 图1.4 N型半导体的共价键结构图 在本征半导体硅中掺入微量的三价元素硼，由于硼原子只有三个价电子，当它与相邻的四个硅原子组成共价键时，就缺少一个价电子，形成一个空位。这样，使掺入硼原子的硅半导体中，空穴的数量大大超过了自由电子的数量。如图1.5所示。空穴是多数载流子，电子是少数载流子。由于这种杂质半导体主要靠空穴进行导电，所以称为空穴型半导体，简称P型半导体。  图1.5 P型半导体的共价键结构示意图 1.1.3 PN结 1. PN结的形成 如果在一块硅晶体中，利用一定的掺杂工艺，分别在一边掺入三价元素硼，另一边掺入五价元素磷，半导体两边形成P型半导体和N型半导体，如图1.6（a）所示。 图1.6 PN结的形成 由于左边P区的空穴浓度远大于右边N区，右边N区的电子浓度远大于左边P区，这种载流子的浓度差，必然引起各自的多子向对方扩散，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，又由于在扩散运动中载流子的复合作用，所以在交界面处形成了不能移动的正、负离子，P区留下了带负电的负离子，N区留下了带正电的正离子，形成了空间电荷区，建立了PN结电场。方向由N区指向P区。该电场随着扩散运动的进行而不断增强，既空间电荷区不断变宽。我们称该电场为内电场。内电场的建立会产生两方面的影响，一方面阻碍着多子扩散运动，另一方面会加强P区中的电子和N区中的空穴向对方漂移，当多子扩散运动和少子漂移运动达到动态平衡时，这个空间电荷区的宽度不再变化，这时的空间电荷区称为PN结，如图1.6(b)所示。空间电荷区内也叫耗尽层或势垒层。 2. PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性。 （1）外加正向电压 当PN结外加正向电压时，即外电源的正极接P区，负极接N区，在半导体内形成了一个电场，称之为外加电场，方向由P区指向N区，如图1.7所示。在外电场的作用下，P区的空穴和N区的电子向对方区域运动，当空穴与电子达到空间电荷区后，使P区中的负离子和N区中的正离子变少，空间电荷区变窄，削弱了内电场，破坏了原来的动态平衡，多数载流子的扩散运动加剧，形成较大的扩散电流。在外电源作用下，使电流得以维持。此时PN结处于导通状态。导通时，PN结相当于一个较小的电阻。 （2）外加反向电压 当PN结外加反向电压时，即外电源的正极接N区，负极接P区，由于外电场与内电场方向一致，加强了内电场，如图1.8所示。使P区中电子和N区中空穴向空间电荷区运动，破坏了原有的动态平衡,使PN结变宽，内电场加强，削弱了多数载流子的扩散运动，少数载流子的漂移运动加剧。由于