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实验结果 电负性差对Si LVV谱的影响 电负性差对Si KLL谱的影响 实验结果 图是几种氧化物的O KLL俄歇谱, 从图上可见，O KLL俄歇电子能量与氧化物的组成有很大关系。SiO2的O KLL俄歇动能为502.1 eV, 而TiO2的则为508.4 eV，其数值与PbO2的O KLL俄歇动能相近(508.6 eV)。 原子驰豫势能效应对O KLL谱的影响 实验结果 虽然在这些氧化物中氧都是以负二价离子O-2存在, 相应的电负性差也相近, 氧元素上的有效电荷也比较接近,但俄歇电子能量却相差甚远。这种现象用电荷势模型就难以解释,这时必须用弛豫能的影响才能给予满意的解释。这时原子外弛豫能(离子有效半径)将起主要作用。 表1几种氧化物的结构化学参数 氧化物 R+(nm） 电负性差 O原子的 有效电荷 俄歇动能（eV) SiO2 0.041 1.7 -1.03 502.1 TiO2 0.068 1.9 -1.19 503.4 PbO2 0.084 1.7 -1.03 508.6 实验结果 由这些结果可见, Si LVV的俄歇化学位移比Si KLL的要大。这清楚地表明价轨道比内层轨道对化学环境更为敏感，不论是Si3N4还是SiO2,其中