选择题 （每小2）.docVIP

选择题 (每小题2分) 1、变容二极管是一种 随外加反向电压变化比较显著的二极管，和普通电容相比，它是一种 。 ①　pn结扩散电容；　② pn结势垒电容； 　 ③ 衬底电容； 　 ④　线性电容；　 ⑤ 非线性电容；　 ⑥ 杂散电容 　 2、由两只NPN晶体管构成的两级共射放大器，输出为纯电阻负载，其中一只管子的fT 比另一只高，其他参数均相同。为了提高放大器的上限频率，应该将 的管子放在第一级。 ①　fT 高；　② fT 低 。 3、共模抑制比 KCMR 越大，表明电路 。 放大倍数越稳定； 　② 交流放大倍数越大；　 ③ 抑制温漂能力越强； 　 ④ 输入信号中的差模成分越大。 4、使用负反馈放大电路，在多个输入情况下，要求各输入信号互不影响，应采用 输入方式。 ①　反相输入；　 ② 同相输入； 　 ③ 差动输入。 　 二、填空题 （每小题3分） 1、放大器中的噪声是 是放大器中 所造成的。放大器的噪声系数 NF 的定义是： 。 2、在研究单级共射放大电路的高频响应时，密勒效应是一个重要的物理现象。已知IC＝ 1mA，Cb’C ＝ 0.5pF，RC＝5KΩ，那么密勒电容 CM＝ pF。 3、运放有一个参数指标叫转换速率 SR，是指运放在闭环状态下，输入为大信号（如阶跃信号）时，放大器 ，通常要求运放的SR 大于 。 4、由集成运放构成的非正弦波信号（三角波、矩形波、锯齿波）发生电路，通常由 和 电路两部分组成。 三、简要回答以下问题 1．早期的模拟集成电路（如集成运放）都是双极性IC，根据你的了解，谈谈为什麽现在地模拟IC采用CMOS技术来制造？ （4分） 2．试说明三极管穿透电流ICE0形成的原理。如果在b极、e极间接上一个电阻R，ICE0 变大还是变小？如果将b极、e极短接，情形又会怎样？（6分） 3．具有反馈的放大电路如图，试判断每一个电路施加反馈的类型。（8分） 4、设下图中的运放 A 均为理想运放，试计算各电路的输出电压值。（8分） 三、计算题 1．（6分）下图a）的源跟随器电路的输入－输出特性可表示为： 现用一NMOS晶体管构成电流源，代替RS ，如图b）所示。已知：(W/L)1=20/0.5, ID2 = 200μA， VTH1 ＝0.6V，μnCOX = 50μA/V2 。 计算 Vin ＝ 1.2V 时的 VOUT 。 （a） （b） 2．（10分）一恒流源电路及参数如图所示。图中的运放的开环电压增益AV0 和输入电阻ri均为∞，输出电阻r0 为0，T1 和T2 的 VBE =0.7V，管子的β很大。试计算电路中的I0 及V0 值，并从反馈角度说明电路为什么恒流？ 3．（13分）在下图（a）所示的单极放大电路中，场效应管T 的转移特性如下图（b）所示。已知＋VDD＝＋15V，RD＝15kΩ，RS＝8 kΩ，RG＝100 kΩ，RL＝75 kΩ；要求: （1）用近似方法计算电路的静态工作点；（提示：T的伏安特性方程可近似为：，UGS＝－ID×RS，UP为夹断电压）。 （2）计算放大器的输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro ； （3）计算场效应晶体管的跨导 gm ； （4）计算放大器的电压放大倍数 Au ； （a） （b） 四、完成下列各小题（20分）： 1. 列表写出（＋30）10和（-65）10的原码、反码和补码（含符号位取8位）。 2. 某系统的内存储器设置有32位地址线，16位并行数据输入/输出端，计算它的最大存储量是多少？ 3. 用2114（1024×4位的RAM）扩充成8K×8位的RAM，问需要几片2114？ 4. 根据下面真值表写出对应的逻辑函数式。 A B C Y 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 5. 根据下面逻辑图写出对应的逻辑函数式。 6. 根据下面电路图写出对应的逻辑函数式。 五、利用卡诺图化简法或卡诺图之间的运