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用电沉积的方法在乙二胺四乙酸溶液中 制成的SnS薄膜的结构和性能 作者：Shuying Chenga,b,Yingjie Hea,Guonan Chena 作者单位：a中国教育部重点实验室分析检测食物安全（福州大学）技术部化学b中国清华大学电子科学与应用物理系）））衬底被用作所有工作电极硫酸亚锡硫代硫酸钠所有的化学品所用分析试剂去离子使用的蒸馏水该薄膜的组成一飞利浦PW2424 X射线荧光光谱仪。飞利浦’Pert-MPD X射线衍射（XRD）系统。表面形貌进行了检查，飞利浦XL30E扫描电子显微镜（SGML）的和多模NS3A 02 扫描探针显微镜。传输和反射光谱研究使用CARY500扫描紫外可见近红外分光光度计。薄膜的厚度。）nF) (3) 这是Ψ0的标准电极电势。R是摩尔气体常量（8.314K/mol）T是热力学温度（298K）F是法拉第常量（96.485c/mol）n是半反应得到的电量。K Sn（EDTA）2是稳定性常量，依据公式（3）Ψ0(Sn（EDTA））b））naS2O3溶液混合物不含EDTA和含EDTA时基板的循环伏安图，从中可看出含EDTA的溶液阳极电流比不含EDTA的阳极电流小。 最后，我们可以知道加入EDTA可以较容易地沉淀Sn和S并得到计量的SnS薄膜。沉淀电位可以比-0.70V更小. 图.1.在ITO的玻璃基质当（a）0.04mol/lNa2S2O3溶液：(b)0.01mol/lSnSO4溶液（c）0.01mol/lSnSO4和0.01mol/lEDTA溶液：（d） 我们不得不提到当电压比-0.70V到许多是可能只有S沉淀在ITO玻璃基质上，因为Sn的隔离电压比-0.70v更小（-0.74V见图1(c）图2是在E=-1.00V沉淀分为某一常数的SnS薄膜的能量谱。图中硅和钙的峰值时它们在ITO玻璃基质中的主要成分，Sn和S的原子百分比分别为S：49.49%，Sn：50.07％。经计算，Sn/S比率为1.0028，非常接近1。 3.4 SnS的结构特征 图2.沉积膜在E＝-1.00V时的能量谱图 图3 SnS薄膜在X射线衍射的电势为E＝-1.00VX射线有14个明显的衍射峰，扫描角度从20°到70°，所有的峰值与相应的正交SnS化合物的衍射峰值及其一致（查阅JCPDS　39-354）薄膜的晶格参数计算的值为a＝0.43171nm，b＝11896nm，c＝0.3984 图3 在E =- 1.00 V时沉积薄膜X射线衍射图在扫描的沉积形貌 (a)10um×10um, (b) 8um×8um (c) 薄膜的粗糙度的分析）–hv曲线。从曲线中我们可看出直射带隙估计为1.16ev接近1.10ev通过计算在e=-0.95到-1.00V沉淀的其他的SnS膜的直射带隙，可得出在1.10-1.43eV之间，接近以前的结果1.24-1.4EV和1.24-1.48ev. 图6. 在E=-1.00v沉淀的SnS膜的总变形和传播光谱 图7在E=-1.00V时SnS薄膜的(αhv)2–hv 的曲线图 结论 通过循环伏安法研究Sn和S共同沉淀的电压。在EDTA中SnS膜的沉淀电压数据统计为-0.70—1.10V通过X射线荧光，XRD和SEM分析以及光学测量我们可指出在E＝-0.95- -1.00v条件下沉淀的膜具有正交晶体结构的多晶体SnS，并且Sn/S比率接近1：1这些形状不规则的膜受小颗粒的影响且这些膜具有较大的吸收系数（大于4×10-4/ｃｍ）接近基本的吸收界限，且它们的直带隙约为1.10－1043ｅv 致谢 在此我要表达对中国国家自然科学基地的感激之情，并感谢福建科技部门和中国福州大学的资助。 参考文献 [1] M. Ichimura, K. Takeuchi, Y. Ono, E. Arai, Thin Solid Films 361–362 (2000)98–101. [2] K. Takeuchi, M. Ichimura, E. Arai, Y. Yamazaki, Sol. Energ. Mater. Sol. Cells 75(2003) 427–432. [3] S.C. Ray, M.K. Karanjai, D. DasGupta, Thin Solid Films 350 (1999) 72–78. [4] H. Takagi, R. Maeda, T.R. Chung, T. Suga, Sens. Actuat. A 70 (1998) 164–170. [5] K.T.R. Reddy, P.P. Reddy, Mater. Lett. 56 (2002) 108–111. [6] A.A. Shama, H.M. Zeyad