第4章内存储器系统_Cache.ppt

随机存储器 静态随机存储器SRAM 特点：不需要刷新,内部管子较多，功耗大，集成度低 典型的静态RAM芯片如Intel 6116（2K×8位），6264（8K×8位），62128（16K×8位）和62256（32K×8位）等。 动态随机存储器DRAM 特点：需要刷新，外围电路复杂,集成度高，功耗低 典型的DRAM如Intel 2164。2164是64K×1位的DRAM芯片 只读存储器(ROM) 掩模ROM (1) 器件制造厂在制造时编制程序,用户不能修改 (2) 用于产品批量生产。 可编程ROM (PROM) (1)出厂时里面没有信息。 (2)用户只能编程一次,不能擦除。 可擦除、可编程ROM（EPROM） (1)可以多次修改擦除。 (2)通过紫外线光源擦除 EEPROM电可擦除。 典型EPROM芯片有：2716（2K×8）、2732（4K×8）、2764（8K×8）、27128（16K×8）、27256（32K×8）、27512（64K×8）等。 Flash Memory是一种新型的半导体存储器，它具有可靠的非易失性、电擦除性以及低成本 常用的地址译码方式 有两种，即单译码和双译码方式。 单译码方式是一个“N中取1”的译码器? 双译码方式采用的是两级译码电路 单译码方式主要用于容量小的存储器，双译码方式可减少译码输出选择线的