08级半导体器件物理期末A卷.docVIP

常州信息职业技术学院 2009 －2010 学年第 一 学期　半导体器件物理　　课程期末试卷 班级 　　　姓名 　　　　学号 　 　　　成绩　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　装　　　　　　　　　　　　　订　　　　　　　　　　　　线　　　　　　　　　　　　　　　　　 项目 一 二 三 四 五 六 总分 满分 100 得分 填空题：（每空1分，共20分） 1．在半导体材料中， 属于第一代半导体材料的，它们的晶格结构是典型的 结构，能带结构属于 带隙型的； 属于第二代半导体材料的，它们的晶格结构是典型的 结构，能带结构属于 带隙型的（直接或间接）。 2．一般情况下，在纯净的半导体中掺　 　　使它成为Ｎ型半导体，在纯净的半导体中掺　 ，使它形成Ｐ型半导体。通常把形成Ｎ型半导体的杂质称为　 　，把形成Ｐ型半导体的杂质称为　 　　。 3． 是衡量电子填充能级的水平，平衡ＰＮ结的标志是 　 。 4．ＰＮ结击穿共有三种： 、 　 、 　　，击穿现象中，电流增大的基本原因不是由于迁移率增大，而是由于载流子浓度增加，一般掺杂浓度下，　 　击穿机构是主要的，当杂质浓度较高，且反向电压不高时，易发生　 　击穿。 5．MIS结构外加栅压时，半导体表面共有三种状态：　 　　、　 、 　　　。 选择题：（共20分　每空1分） 1．硅单晶中的空位属于（ ） Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 2．半导体晶体中原子结合的性质主要是（ ）。 A 共价键结合 B 金属键结合 C 离子键结合 3．下列能起有效复合中心作用的物质是（ ） A 硼（B） B 金（Au） C 磷（P） D 铝（Al） 4．载流子的迁移率是描述载流子( )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( )的一个物理量。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 5．载流子的扩散运动产生（ ）电流，漂移运动产生（ ）电流。 A 漂移 B 隧道 C 扩散 6．实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ ） Ａ 重掺杂的半导体与金属接触 Ｂ 轻掺杂的半导体与金属接触 7．MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ ）。（VS为半导体表面电势；qVB=Ei-EF） A VS=VB B VS=2VB C VS=0 8．pn结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（ ）。 A．展宽 B．变窄 C．不变 9．在开关器件及与之相关的电路制造中，（ ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 A 钝化工艺 B 退火工艺 C 掺金工艺 10．真空能级和费米能级的能值差称为（ ） A 功函数 B 亲和能 C 电离电势 11．平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最低的是（ ） A 发射区 B 基区 C 集电区 12．下列对钠离子有阻挡作用的钝化膜为（ ） A 二氧化硅 B 氮化硅 13．室温下，半导体Si中掺硼的浓度为1014cm－3，同时掺有浓度为1.1×1015cm－3的磷，则电子浓度约为（ ），空穴浓度为（ ），费米能级（ ）；将该半导体升温至570K，则多子浓度约为（ ），少子浓度为（ ），费米能级（ ）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm－3，570K时，ni≈2×1017cm－3） A 1014cm－3 B 1015cm－3 C 1.1×1015cm－3 D 2.25×105cm－3 E 1.2×1015cm－3 F 2×1017cm－3 G 高于Ei H 低于Ei I 等于Ei 判断题（共20分　每题１分） （ ）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。 （ ）晶体中内层电子有效质量小于外层电子的有效质量。 （ ）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多