EMC Debug 基本概念.pptVIP

High Frequency Performance of R. L. C. EMI是被動元件正常狀態行為以外的結果 高頻特性 電阻器----電感與電阻串聯且並聯一個電容 電容器----電感與電阻與電容串聯 電感器----電感與電容並聯 靜電放電保護Electrostatic Discharge Protection Spark gaps放電間隙 銳角的三角形指向彼此相對，指尖相距最大10mil最小6mil。一端之三角形接地，另一端接到信號線 高電壓電容器 這些電容必須放置在儘量靠近I/O連接器之處 Tranzorbs? 半導體元件特別設計用在瞬間突波電壓之壓制 LC濾波器 低通LC濾波器，防止高頻之ESD能量進入系統 ESD保護措施 減小環路面積Minimizing loop areas 如果沒有使用電源平面的話（單層或雙層板），使所有的電源及接地路徑靠在一起。以減小環路面積 使信號線儘可能的靠近接地線，接地平面 在電源及接地之間加上高諧振頻率的旁路電容 使trace長度儘量短 在頂層及底層，沒有元件或電路用到的區域儘可能以接地平面填滿，並均勻放置GND Via 將ESD敏感元件以壕溝或是隔離於其他區域 將所有的接地連接以低阻抗之方式為之 以如Zener二極體或是Tranzorbs?等元件提供暫態保護 將暫態保護元件接地至機殼接地，而非電路之接地 Ferrite物質除了有EMI壓制之作用外，對ESD電流也有極佳之衰減能力 間接ESD之電磁場，多層板可提供10至100倍高於單層板之改善 護衛帶之導入Guard band implementation 放置一條32mm（1/8?）之guard band在板子的四周，頂層及底層都需要 圍繞整個PCB每1/2吋就以貫穿孔連接到所有之接地平面 I/O區之電源加 Pull Low電阻 47K ohm 散熱片之接地Grounded Heatsinks 散熱片之接地Grounded Heatsinks 案例一 利用導電泡棉增加S端子與鐵片的接觸性，可用帶有彈片的S端子替代之 案例二 於Debug時修正機構的洩露，可用重新修改機構填補之 Metal Slug 幅射RF能量 有翅膀的散熱片 介電物質，導熱膠 元件之包裝 從包裝到主機板之I/O接腳 ?X? ?Y? 將散熱片放置在元件包裝之上方，提供了一個比晶元與接地平面間距離?Y?還更接近晶元之金屬面?X?。 如果散熱片是金屬的，common-mode RF電流會耦合轉移到散熱片之上。此一金屬散熱片就變成是一個單極天線，因而幅射出元件內部之clock諧波至空間或附近電路板。 具有SMT去耦合電容Pads之元件之頂視圖 未接地之散熱片之機械圖 * * 元件 低頻行為 高頻行為 響應 電線 電阻 電容 電感 Z Z Z Z f f f f 串聯諧振 並聯諧振 旁路及去耦合Bypassing and Decoupling 防止RF能量由一電路轉移至另一電路之技術 Decoupling電容是為了在clock或data轉換時，提供足夠之dc電壓及電流給元件之正常操作 Decoupling（去耦合） 去耦合電容將高頻元件產生在電源平面上之RF能量移除 藉由放置一去耦合電容鄰近於IC之電源腳做為電流儲蓄可達成一小區域環路 當使用去耦合電容時重要的是減短接腳之長度並且儘量靠近元件旁邊 在放置去耦合電容時，需時時考慮地迴路之控制 Bypassing（旁路） 旁路電容能移除不需要的RF雜訊，避免其耦合元件或cable之common-mode EMI進入敏感區域，且提供濾波功能 Bulk（大型）大型電容是當在最大負載下，所有信號腳同時切換時，對元件保持 其dc電流及電壓穩定。它同時可防止因元件之電流湧浪（dI/dt）造成之電源失 效 在某些應用，需要並聯兩個電容以達到較寬的RF壓制頻帶。這兩個電容應相差100倍（如0.1與0.001?F），才能達到最佳效果 VLSI及高速元件，需要並聯的去耦合電容 去耦合電容通常為0.1?F並聯0.001?F 對50MHz以上及更高之clock頻率，使用0.01?F並聯100pF Approximate self-resonant frequencies of capacitors Capacitor Value Self-resonant Frequency 1.0 uF 5 MHz 0.1 uF 16 MHz 0.01 uF 50 MHz 1000 pF 159 MHz 500 pF 225 MHz