微机原理与接口技术部分课后习题答案.docVIP

说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。 SRAM：静态RAM，读写速度快，但是集成度低，容量小，主要用作Cache或小系统的内存储器。 DRAM：动态RAM，读写速度慢于静态RAM，但是它的集成度高，单片容量大，现代微型计算机的“主存”均由DRAM构成。 MROM：掩膜ROM，由芯片制作商在生产、制作时写入其中数据，成本低，适合于批量较大、程序和数据已经成熟、不需要修改的场合。 PROM：可编程ROM，允许用户自行写入芯片内容。芯片出厂时，所有位均处于全“0”或全“1”状态，数据写入后不能恢复。因此，PROM只能写入一次。 EPROM：可擦除可编程只读存储器，可根据用户的需求，多次写入和擦除，重复使用。用于系统开发，需要反复修改的场合。 如果存储器起始地址为1800H，末地址为1FFFH，求该存储器的容量。 该存储器的容量为： （1FFFH－1800H+1）×8 = 800H×8，该存储器有2048×8个位，也可以写作2KB。 利用全地址译码将6264芯片接到8088系统总线上，地址范围为30000H～31FFFH，画出逻辑图。 全地址译码可以保证存储器芯片上的每一个单元在整个内存空间中具有唯一的、独占的一个地址。参考教材相关内容，6264芯片有13根地址线，剩余的高位7根地址线通过译码组合确定该芯片的起始地址（30000H）。 由30000H地址得出对应的地址线状态为： 0011 000 0 0000 0000 0000 可以看出A13~A19地址线为0011 000，所以译码组合应逻辑为： = ···A16·A17·· =（····）·（A16·A17） = A13+A14+A15+A18+A19+ A16·A17 具体逻辑如右图所示。 某8088系统用2764 ROM芯片和6264 SRAM芯片构成16KB的内存。其中，RAM的地址范围为FC000H-FDFFFH，ROM的地址范围为FE000H-FFFFFH。试利用74LS138译码，画出存储器与CPU的连接图，并标出总线信号名称。 2764和6264均为8KB的存储芯片，需要13根地址线（A0~A12）用于片内寻址。8088系统的其他地址线（A13~A19）用于产生片选信号。 FC000H的地址线状态为：1111 110 0 0000 0000 0000 FE000H的地址线状态为：1111 111 0 0000 0000 0000 将A13~A15用作译码输入，其他地址（A16~A19=1111）用作译码控制，可以得到如下译码控制电路，连接如下图所示。 现有（DS）=2000H ,（BX）=0100H，（SI）=0002H，（20100H）=12H，（20101H）=34H，（20102H）=56H，（20103H）=78H，（21200H）=2AH，（21201H）=4CH，（21202H）=0B7H，（21203H）=65H，说明下列指令执行后AX寄存器的内容。 （1）MOV AX, 1200H （2）MOV AX, BX （3）MOV AX, [1200H] （4）MOV AX, [BX] （5）MOV AX, 1100H[BX] （6）MOV AX, [BX][SI] （7）MOV AX, 1100H[BX][SI] 答 ：（1）指令MOV AX, 1200H执行后，(AX)=1200H (立即数操作数)。 （2）指令MOV AX, BX执行后，(AX)=0100H (寄存器操作数)。 （3）指令MOV AX, [1200H] 执行后，(AX)=4C2AH（直接地址，EA=1200H） （4）指令MOV AX, [BX] 执行后，(AX)=3412H（寄存器间接寻址，EA=0100H） （5）指令MOV AX, 1100H[BX] 执行后，(AX)= 4C2AH（相对地址，EA=1200H） （6）指令MO V AX, [BX][SI] 执行后，(AX)=7856H（基址变址寻址，EA=0102H） （7）指令MOV AX, 1100H[BX][SI] 执行后，(AX)=65B7H（相对基址变址寻址，EA=1202H） 设8254的端口地址为0240H～0243H，通道0输入的CLK频率为1MHz，为使通道0输出1KHz的方波，编写初始化程序。如果让通道0与通道1级联（即OUT0接CLK1）实现1秒钟定时，则初始化程序如何编制。 解： 通道0输出1KHz的方波： 计数初值为1MHz/1KHz = 1000，等于十六进制数03E8H，控制字设定为先写低8位，后写高8位，方式3工作，二进制计数方式，所以控制字为36H。初始化程序如下： MOV AL，36H ； MOV