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极紫外光光刻 极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的软x 射线。 * 光学光刻 光刻 曝光 刻蚀 光源 曝光方式 一 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率、对准精度 和生产效率。 涂光刻胶（正） 选择曝光 光刻工艺流程 显影（第 1 次图形转移） 刻蚀（第 2 次图形转移） 光源 紫外光（UV） 深紫外光（DUV） g 线：436 nm i 线：365 nm KrF 准分子激光：248 nm ArF 准分子激光：193 nm 极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm X 射线，0.2 ~ 4 nm 电子束 离子束 二 光源的种类 极紫外光光刻 X 射线源 为了提高分辨率，可以采用波长 λ = 0.2 ~ 4 nm 的 X 射线作为曝光的光源。 1、电子碰撞 X 射线源 用高能电子束轰击金属靶（如 Al、W、Mo），使靶金属的内层束缚电子离开靶材料，当另一个束缚电子去填充这一空位时，即可发射出 X 射线。 这种 X 射线源的主要缺点是效率很低，只有几万分之一。功率消耗达数万瓦，并产生大量的热。除了用水冷却外，还可使阳极高速旋转。 2、等离子体 X 射线源 用聚焦的高能电子束或激光束轰击金属薄膜，使之蒸发成为等离子体。超热的金属等离子体蒸汽将发射 X 射线，波长为 0.8 ~ 10 nm 。 这种 X 射线源从激光到 X 射线的转换效率约为 10%，光强比较强，并有非常小的直径，比较适合于光刻。 投影电子束曝光技术既有电子束曝光分辨率高的优点，又有投影曝光所固有的生产效率高成本低的优点，因而是目前正积极研究开发的一种技术。 投影电子束光刻 原理：电子枪发射的电子束经聚焦透镜后形成准直电子束流，照射到掩模版上，穿过掩模透明部分的电子束再经过投影透镜缩小后，在晶片上获得缩小的掩模转印图形。 由于曝光视场不大（一般为 3×3 mm2 ），所以工件台也需作步进移动。 电子枪 光闸 聚焦透镜 投影透镜 掩模版 晶片 电子束 投影电子束曝光的 优点 1、波长短，分辨率高，线宽可小于 0.1 ?m ； 2、生产效率高； 3、对电子束的控制简单。 存在的问题 1、掩模版制造困难。“透明” 部分最好是空的。这是限制投影电子束曝光的实际应用的主要障碍； 2、对准问题 在投影电子束光刻中，最有希望的技术之一被称为角度限制散射投影电子束光刻（Scattering with Angular Limitation Projection Electron-beam Lithorgraphy, SCALPEL），它是利用散射反差的对比来产生图形。掩模版的透明区用低 Z 材料制成，不透明区用高 Z 材料制成。不透明区不是吸收电子而是以足够大的角度散射电子，使之被光阑阻挡。这就允许使用极高的能量，从而使低 Z 材料区几乎完全透明。 掩模版的透明区通常是富硅的氮化硅，厚约 0.1 ?m 。不透明区可采用 W/Cr，厚约 0.05 ?m 。 在图像质量和生产效率之间存在矛盾。低电子流密度可获得极好的图像质量，而高电子流密度可获得合理的生产效率。 离子束光刻 当将离子束应用于曝光时，其加工方式有 1、掩模方式（投影方式） 2、聚焦方式 FIB（直写方式、扫描方式） 3、接近式 聚焦离子束光刻机的基本原理与直写电子束光刻机大体相同，不同之处有 1、由 LMIS（单体或共晶合金）代替电子枪； 2、必须使用质量分析系统； 3、通常采用静电透镜和静电偏转器； 4、主高压的范围较宽，可以适用于曝光、刻蚀、注入等各种不同用途。 离子束曝光技术的优点 1、离子的质量大，因此波长更短，可完全忽略衍射效应； 2、离子的速度慢，穿透深度小，曝光灵敏度高。对于各种电子束光刻胶，离子束的灵敏度均比电子束高近两个数量级，因此可缩短曝光时间，提高生产效率； 3、离子的质量大，因