北工大_考研范围_半导体物理.docVIP

学院（系所）名称：电子信息与控制工程学院 考试科目名称及代码 考试内容及范围说明 821 自动控制原理 1、自动控制系统概述 2、控制系统的数学描述方法 控制系统的微分方程，非线性系统的线性化，传递函数，结构图与结构图化简。 3、控制系统的时域分析 二阶系统时域分析，高阶系统时域分析，稳定性分析，稳态误差分析。 4、根轨迹分析法 根轨迹作图的基本法则，根轨迹图的绘制，控制系统的根轨迹法分析。 5、频率分析法 典型环节的频率特性，开环频率特性作图，频域稳定性判据，开环频率特性分析。 6、控制系统的校正方法 根轨迹法校正设计，频率法串联校正设计，参考模型法校正设计，频率法反馈校正设计。 7、非线性系统分析 相平面分析法，描述函数法。 8、采样控制系统分析基础 开环脉冲传递函数，闭环脉冲传递函数，采样系统的稳定性分析。 822 信号与系统 1、信号的时域分析 2、系统的时域分析 3、信号的频域分析 4、系统的频域分析 5、连续信号与系统的复频域分析 6、离散信号与系统的复频域分析 7、系统的状态变量分析 823 半导体物理 1、常见半导体（Si，Ge，GaAs）的晶体结构、能带结构和物理性质 2、纯净半导体、掺杂半导体中电子状态，热平衡载流子浓度，以及相关温度特性； 3、载流子迁移率，电场作用下载流子漂移运动，半导体导电性，相关温度特性，以及霍尔效应； 4、非平衡载流子的复合-产生机理，载流子寿命，以及扩散运动特性，载流子连续性方程； 5、同质PN结特性、电流-电压特性、电容特性、击穿特性； 6、MOS结构特性、表面状态、电容-电压特性； 7、金属－半导体接触特性，异质结相关概念； 423半导体物理——北京工业大学2007年硕士研究生入学考试大纲 200092 科目代码：423专 正门 参考书：（书名、作者、出版社、出版年份）112室 刘恩科等，“半导体物理学”国防工业出版社，1989 课 业 内容： 彰武 一、 半导体的晶体结构和缺陷彰武 常见半导体材料（Si、Ge和GaAs）的晶体结构和物理性质；半导体材料中的常见点、线、面缺陷。 济 二、 半导体中的电子状态济 布洛赫定理；空穴、电子速度、加速度和有效质量；满带与不满带的电子性质；表面存在对电子态的影响；常见半导体材料（Si、Ge和GaAs）能带结构的特点；电子回旋共振实验和回旋共振有效质量；施主和受主，补偿，深能级及其影响。院 三、 平衡载流子浓度专 态密度有效质量；非简并掺杂半导体室温附近的载流子浓度；掺杂半导体载流子浓度与温度的关系；掺杂半导体费米能级与掺杂浓度和温度的关系；简并情况及其特点。112室 四、 半导体的导电性336260 37 常见半导体材料中主要的载流子散射机构与掺杂浓度和温度的关系；电导率；迁移率；电导率有效质量；迁移率随温度和掺杂浓度的变化；霍尔效应。业 五、 非平衡载流子 正门 确定常用半导体材料中过剩载流子寿命的主要复合机构；常用半导体材料中过剩载流子寿命与掺杂浓度及温度的关系；描述载流子运动的基本方程；准费米能级；爱因斯坦关系。网络督察 六、 同质pn结 专 突变结、缓变结、接触电势差；空间耗尽层；理想pn结IV特性；正反偏置理想pn结能带图、载流子分布图；实际pn结、理想pn结IV特性的差别及原因；势垒电容；pn结击穿的主要机制。 kaoyangj 七、 MOS结构 48号 Si－SiO2系统中主要电荷和电子态；表面电场效应；理想MOS的CV特性、功函数差；PMOS和NMOS在不同栅压下，表面的状态能带图和表面势条件；氧化层电荷；界面态对CV特性的影响；阈值电压。 八、 金属－半导体接触和异质结 阻挡层与反阻挡层；表面态对金属－半导体接触的影响；肖特基整流接触的特点；金属－半导体欧姆接触；异质结的结构的能带图。