半导体物理与器件复习.docVIP

粒子能量 德布罗意波长 能量与动量的关系 波数，相速度 边界条件 无限深势阱中电子的能量（n为电子的能级，a为势阱的宽度） //内力的作用 电子的有效质量 （价带顶(空穴)m*0，导带底（电子）m*0） 状态密度函数 导带中的电子有效状态密度 价带中的电子有效状态密度 概率密度函数 （EF为费米能级） T=300K，kT=0.0259eV 本征半导体 热平衡时电子浓度为 或 （Nc为导带有效状态密度，n0Nc） 热平衡时空穴浓度为 本征载流-子浓度，EFi为本征费米能级 本征费米能级相对禁带中央的位置 （若，； 若，； 若，；） 推导 非本征半导体 热平衡时电子浓度为 热平衡时空穴浓度为 热平衡状态下的半导体 补偿半导体（指在同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体 ，n型补偿半导体 ，p型补偿半导体 ，完全补偿半导体） //电子浓度（N型） //空穴浓度（P型） EF随掺杂浓度和温度的变化 随着掺杂浓度的提高，n型半导体的费米能级逐渐向导带靠近，p型半导体逐渐向价带靠近； 随着温度的升高，ni增加，费米能级趋近于本征费米能级。 载流子运输（漂移运动和扩散运动） 电导率 电子漂移电流密度（u为迁移率） 空穴漂移电流密度 电子扩散电流密度 （D为扩散系数） 空穴扩散电流密度 //总电流密度 霍尔效应 霍尔电压VH为正，P型半导体；霍尔电压为负，N型半导体。· 载流子浓度与霍尔电压成反比，金属的霍尔效应不明显//空穴浓度 浓度为正//电子浓度 载流子浓度和电场强度与迁移率成反比//空穴迁移率 //电子迁移率 非平衡过剩载流子 稳态时（）过剩电子浓度 //小注入P型半导体的双极运输方程 //小注入N型半导体的双极运输方程 双极运输方程的常见简化形式P146 Pn结二极管 反向饱和电流密度 或 电流密度 空间电荷区随反向偏压增加而增大，随掺杂浓度增加而减小，随正向电压增加而减小 简答题 在pn结的伏安曲线中，当外加电压很大时，要考虑串联电阻的影响 金属、绝缘体、半导体的能带理论解释 满带的电子不导电； 对于导体，除有完全填充的满带，还有部分填充的能带； 对于绝缘体和半导体，只有完全填充的满带，没有部分填充的能带； 相当于绝缘体，半导体的带隙宽度较小，受热激发或光照时，价带的电子容易跃迁到导带导电。 空间电荷区（耗尽区）：半导体带净正电荷和净负电荷的区域，不存在电子和空穴。 空穴 ：与价带顶部空状态相关的带正电“粒子” 量子力学三定律——能量量子化、波粒二相性、不确定原理 影响载流子的迁移率的两种散射机制：晶格散射和电离杂质散射 温度升高，晶格散射增加，迁移率下降； 温度升高，电离杂质散射减少，迁移率上升；杂质浓度增加，电离杂质散射增加，迁移率下降。 电子浓度和电导率随温度的变化关系：在低温区，电子浓度主要由杂质电离提供，电子浓度和电导率随温度的升高而增加；在中温区，杂质已全部电离，电子浓度保持恒定，但由于晶格散射作用，迁移率和电导率随温度升高而降低；在高温区，本征载流子浓度增加并主导电子浓度和电导率，电子浓度和电导率随温度的升高而增加。 霍尔效应：电场和磁场对运动电荷施加力的作用产生的效应。 本征半导体：没有杂质原子和晶体中无晶格缺陷的纯净半导体。