新编磷扩散工艺文件(标准).docVIP

工 艺 文 件 Φ50mm双极IC芯片生产线 名 称 磷扩散通用工艺规范 编 号 批 准 磷 扩 散 1 工序目的 在硅片上定域地扩散所需的磷杂质,形成磷穿透制作晶体管的发射区等。 2 工序工艺流程图 2.1 磷桥扩散流程图 产品流程 工作项目 清洗后芯片接收 做样片 磷桥预扩 磷桥R□测量 磷桥再扩散前的处理 基区或高硼氧化 表面检验 送光刻工序 2.1 发射区扩散流程图（G—关键工序） 辅助流程 产品流程 工作项目 清洗后芯片的接收 做样片 样片处理 发射区扩散(G) 测β.BVceo及表面检验 β值 再扩散前处理 再扩散 送下道工序 生产检验 质量控制点 生产 记录 格式4 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 拟 制 Φ50mm双极IC芯片 生产线磷扩散 通用工艺规范 Q/ER0.350.004(A)-2007 审 核 标 准 化 第 1 张 共 5 张 批 准  工艺条件及工艺参数 a) ECL、LS、S系列工艺条件和工艺参数见附件1 b) ECL、LS、S系列磷扩散工艺卡见附件1 4 工艺控制 4.1 工序检测项目及检测方法 4.1.1 LS系列磷扩散工序检测项目及检测方法 项 目 检测设备仪器 频次 要 求 磷桥扩散后的R□ SDY-4D型四探针测试仪 １次／批 R□=（8.5±1）Ω/□ （特殊品种见附件1） 表面状况 显微镜 5片/批 表面光亮，氧化层均匀、无合金点 发射区后的β值 TYPE576、QT2图示仪 每片 β=80±10（特殊品种见附件1） BVceo TYPE576、QT2图示仪 每片 BVceo≥5.5V (5.5V下漏电流小于1uA) 4.1.2 S系列磷扩散工序检测项目及检测方法 项 目 检测设备仪器 频次 要 求 磷桥扩散后的R□ SDY-4D型四探针测试仪 １次／批 R□=（4.5±0.5）Ω/□ （特殊品种见附件1） 表面状况 显微镜 5片/批 表面光亮，氧化层均匀、无合金点 发射区后的β值 TYPE576、QT2图示仪 每片 β=40±10（特殊品种见附件1） BVceo TYPE576、QT2图示仪 每片 BVceo≥5.5V(5.5V下漏电流小于1uA) 4.1.3 ECL系列磷扩散工序检测项目及检测方法 项 目 检测设备仪器 频次 要 求 磷桥扩散后的R□ SDY-4D型四探针测试仪 １次／批 R□=（4.5±0.5）Ω/□ （特殊品种见附件1） 表面状况 显微镜 5片／批 表面光亮，氧化层均匀、无合金点 发射区后的β值 TYPE576、QT2图示仪 每片 β=130±10 （特殊品种见附件1） BVceo TYPE576、QT2图示仪 每片 BVceo≥5.5V(5.5V下漏电流小于1uA) 5工艺管理 5.1 工作环境