新型大容量闪存芯片K9K2GXXU0M.docVIP

新型大容量闪存芯片－K9K2GXXU0M 摘要：Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ是三星公司生产的大容量闪存芯片，它的单片容量可高达２５６Ｍ。文中主要介绍了Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的特性、管脚功能和操作指令，重点说明了Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ闪存的各种工作状态，并给出了它们的工作时序。 ?? 关键词：闪存；Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ；大容量 Flash 闪存（ＦＬＡＳＨ ＭＥＭＯＲＹ闪烁存储器）是一种可以进行电擦写，并在掉电后信息不丢失的存储器，同时该存储器还具有不挥发、功耗低、擦写速度快等特点，因而可广泛应用于外部存储领域，如个人计算机和ＭＰ３、数码照相机等。但随着闪存应用的逐渐广泛，对闪存芯片容量的要求也越来越高，原来３２Ｍ、６４Ｍ的单片容量已经不能再满足人们的要求了。而 Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ的出现则恰好弥补了这一不足。Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ是三星公司开发的目前单片容量最大的闪存芯片，它的单片容量高达２５６Ｍ，同时还提供有８Ｍ额外容量。该闪存芯片是通过与非单元结构来增大容量的。芯片容量的提高并没有削弱Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ的功能，它可以在４００μｓ内完成一页２１１２个字节的编程操作，还可以在２ｍｓ内完成１２８ｋ 字节的擦除操作，同时数据区内的数据能以５０ｎｓ／ｂｙｔｅ的速度读出。 Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ大容量闪存芯片的Ｉ／Ｏ口既可以作为地址的输入端，也可以作为数据的输入／输出端，同时还可以作为指令的输入端。芯片上的写控制器能自动控制所有编程和擦除操作，包括提供必要的重复脉冲、内部确认和数据空间等。１　Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的性能参数 Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的主要特点如下： ●采用３．３Ｖ电源； ●芯片内部的存储单元阵列为（２５６Ｍ＋８．１９２Ｍ）ｂｉｔ×８ｂｉｔ，数据寄存器和缓冲存储器均为（２ｋ＋６４）ｂｉｔ×８ｂｉｔ； ●具有指令／地址／数据复用的Ｉ／Ｏ口； ●在电源转换过程中，其编程和擦除指令均可暂停； ●由于采用可靠的ＣＭＯＳ移动门技术，使得芯片最大可实现１００ｋＢ编程／擦除循环，该技术可以保证数据保存１０年而不丢失。 表１所列是Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ闪存芯片的编程和擦除特性参数。表中的ｔＣＢＳＹ的最长时间取决于内部编程完成和数据存入之间的间隔。表1 K9K2GXXU0M的编程和擦除特性 参??? 数 符 号 最? 短 典? 型 最? 长 单? 位 编程时间 tPROG 　 300 700 μs 缓存编程的虚拟忙时间 tCBSY 　 3 700 μs 在同一页中的局部编程循环 主列 NOP 　 　 4 周期 空列 　 　 4 周期 块擦除时间 tBERS 　 2 3 ms ２　Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的管脚说明 Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ有４８个引脚，其引脚排列如图１所示。具体功能如下： Ｉ／Ｏ０～Ｉ／Ｏ７：数据输入输出口，Ｉ／Ｏ口常用于指令和地址的输入以及数据的输入／输出，其中数据在读的过程中输入。当芯片没有被选中或不能输出时，Ｉ／Ｏ口处于高阻态。??? ＣＬＥ：指令锁存端，用于激活指令到指令寄存器的路径，并在ＷＥ上升沿且ＣＬＥ为高电平时将指令锁存。 ＡＬＥ：地址锁存端用于激活地址到内部地址寄存器的路径，并在ＷＥ上升沿且ＡＬＥ为高电平时，地址锁存。 ＣＥ：片选端用于控制设备的选择。当设备忙时ＣＥ为高电平而被忽略，此时设备不能回到备用状态。 ＲＥ：读使能端，用于控制数据的连续输出，并将数据送到Ｉ／Ｏ总线。只有在ＲＥ的下降沿时，输出数据才有效，同时，它还可以对内部数据地址进行累加。 ＷＥ：写使能控制端，用于控制Ｉ／Ｏ口的指令写入，同时，通过该端口可以在ＷＥ脉冲的上升沿将指令、地址和数据进行锁存。 ＷＰ：写保护端，通过ＷＰ端可在电源变换中进行写保护。当ＷＰ为低电平时，其内部高电平发生器将复位。图3 编程操作时序图??? Ｒ／ Ｂ：就绪／忙输出，Ｒ／ Ｂ的输出能够显示设备的操作状态。Ｒ／ Ｂ处于低电平时，表示有编程、擦除或随机读操作正在进行。操作完成后，Ｒ／ Ｂ会自动返回高电平。由于该端是漏极开路输出，所以即使当芯片没有被选中或输出被禁止时，它也不会处于高阻态。 ＰＲＥ：通电读操作，用于控制通电时的自动读操作，ＰＲＥ端接到ＶＣＣ可实现通电自动读操作。 ● ＶＣＣ：芯片电源端。 ● ＶＳＳ：芯片接地端。 ● ＮＣ：悬空。３　Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的坏块 闪存同其它固体存储器一样都会产生坏块。坏块是包含一位或多位无效位的块。在Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ中坏块并不影响正常部分的工作，这是因为在Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ中，各块之间是隔离的。坏块均可以通过地址的布置系统找到，而在Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ中地址为００ｈ的第一块一定应当是正常的。坏块在大多数情况下也是可擦写的，并且一旦被擦掉就不可能恢复。因此，系统必须能根据坏块信息来识别坏块，并通过