新型检测课件7-光电.pptVIP

·在光积分时间,各个光敏元曝光, 吸收光生电荷； ·曝光结束时,器件实行场转移,在一 瞬间内将原整场的光电图像迅速地转 移到存储器列阵中去,如图,将注脚为 的光敏元中的光生电荷, 分别转移到注脚相同的存储器单元中； ·此时光敏元开始第二次光积分,而存 储器列阵则将它里面存储的光生电荷 信息一行行地转移到读出移位寄存器； 第七章 §5 新型光电器件 1.电荷藕合器件(CCD) (4)面阵电荷耦合器件 场转移面阵电荷藕合器件结构图 ? 基本原理： 如图为 面阵. 第七章 §5 新型光电器件 1.电荷藕合器件(CCD) (4)面阵电荷耦合器件 场转移面阵电荷藕合器件结构图 ·在高速时钟驱动下,读出移位寄存 器输出每行中各位的光生电荷信息. ·如第一次将 这一行信息 转移到读出移位寄存器,读出移位寄存 器立即将它们按 的次序有 规则地输出.接着再将转移过来的 这一行信息输出,直到 最后输出 的信息为止. ? 基本原理： 如图为 面阵. ?目前,用CCD制成的光电传感器已用于检测工件的 直径、钢板的厚度、检查板材的表面质量、识别图形和 文字等.有的国家利用它识别文字的功能,把它作为计 算机的输入装置,来代替传统的光电穿孔输入机. 第七章 §5 新型光电器件 1.电荷藕合器件(CCD) (4)面阵电荷耦合器件 光电位置敏感器件(Position Sensitive Detector, 简称PSD)是一种对其感光面上入射光点位置敏感的器件, 也称为坐标光电池.即当光点在器件感光面的不同位置时, 就对应有一个不同的输出电信号. 第七章 §5 新型光电器件 2.光电位置敏感器件(PSD) (1)PSD的结构及基本原理 I N ? PSD一般为PIN结构. 其基本结构 是在硅板的底层表面以胶合方式制成 二片均匀的P和N电阻层, 在P和N电阻 层之间注入离子而产生I层,即本征层. 在P电阻层表面的两端各设置一输出极. 第七章 §5 新型光电器件 2.光电位置敏感器件(PSD) (1)PSD的结构及基本原理 ? 基本原理：横向光电效应 当一束光从垂直与P的方向照射到PSD的I层时,就会产生 电子-空穴对,在PN电场的作用下,空穴进入P区,电子进入N区. 由于P区杂质浓度相对较高,空穴迅速沿P区表面向两侧扩散, 最终导致P层空穴横向(X方向)浓度梯度变化,这时同一层面上 不同位置呈现一定的电位差. ·PSD通常工作在 反向偏压状态. PSD的公共电极接正 电压,输出极A和B分 别接地. I N 第七章 §4 光电器件及特性 2.光电池 (1)光电池材料与结构 ?光电池的种类很多,有硅、硒、硫化镉、硫化铊、 蹄化镉等,其感光灵敏度随材料和工艺方法不同也有 差异；制做不同,器件的性能差别很大. ·当光照射在PN结区时,光照产生的电子-空穴对在 结电场作用下,电子向N区迁移,空穴向P区迁移,使PN结 两边的电位发生变化,出现一个因光照而产生的电动势. 目前应用最广的是硅光电池, 它有性能稳定、光谱范围宽等优点, 但对光的响应速度还不够高. 第七章 §4 光电器件及特性 2.光电池 (1)光电池材料与结构 硅光电池也称硅太阳能电池,为有源器件.它轻便、 简单,不会产生气体污染或热污染,特别适用于宇宙飞 行器作仪表电源.硅光电池转换效能较低,适宜在可见 光波段工作. ? 硅光电池是用单晶硅 制成的. 在一块N型硅片上用 扩散的方法渗入一些P型杂质, 形成一个大面积PN结,P层极薄 能使光线透到PN结上. 第七章 §4 光电器件及特性 2.光电池 (2)光电池的基本特性 ：光电器件的相对灵敏度K与入射波长 之间的关系. 又称光谱响应. ? 光谱特性 不同材料的光电池的光谱峰 值的位置是不同的,硅光电池可 在光波长0.45~1.1um范围内使用, 而硒光电池只能在光波长0.34~ 0.57um范围内使用. 在实际使用中是根据光源性质 来选择光电池,反之也根据光电池 性质来选择光源. 光电池的光谱特性 硅光电池 硒光电池 第七章 §4 光电器件及特性 2.光电池 (2)光电池的基本特性 ：光电池的光照特性有两种表示形式. ? 光照特性 ·开路电压曲线--光生电动势E与照度Ee间的特性曲线； ·短路电流曲线--光电流密度Je与照度Ee间的特性曲线. 硅光电池的光照特性曲线 从图可看出：短路电流在很大范围内 与光照度成线性关系,开路电压与光照度的关系是非线性的,且照度在20001X照射下就趋于饱和了. 因此,在使用光电池作为检测元件