1.5_功率场效应晶体管、1.6_绝缘栅双极型晶体管.pptVIP

第一章 电力半导体器件 1.0 电力电子器件 概述 1.1 功率二极管 1.2 晶闸管 1.3 可关断晶闸管(GTO) 1.4 电力晶体管(GTR) 1.5 功率场效应晶体管(P-MOSFET) 1.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 1.7 电力电子器件散热、串并联及缓冲保护 1.5 功率场效应晶体管—全控型 1.5.1 P-MOSFET的结构与工作原理 1.5.2 P-MOSFET的基本特性 1.5.3 P-MOSFET的主要参数 1.5.4 P-MOSFET的安全工作区 1.5.5 P-MOSFET的门极驱动电路 1.5 功率场效应晶体管—全控型 分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称功率MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理 P-MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 ?功率MOSFET主要是N沟道增强型。 功率MOSFET的芯片内部结构 1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理 P-MOSFET的结构 1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理 小功率MOS管是横向导电器件。 功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 1.5.2 P-MOSFET的基本特性 ?(1) 转移特性（Transfer Characteristic） 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大（小）时，ID与UGS的关系近似（非）线性，曲线的斜率（微变量之比）定义为跨导Gfs。 1.5.2 P-MOSFET的基本特性 ?(2) 输出特性 漏极电流ID和漏源间电压UDS的关系称为MOSFET的输出特性，即漏极伏安特性 。 分为四个区：非饱和区（可变电阻区）、饱和区（恒流区）、击穿区（雪崩区）、截止区（UGS低于开启电压） 1.5.2 P-MOSFET的基本特性 开通过程 开通延迟时间td(on) 上升时间tr 开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和 ton＝ td(on) ＋ tr 关断过程 关断延迟时间td(off) 下降时间tf 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和 toff＝ td(off) ＋ tf P-MOSFET元件极间电容的等效电路 从中可以求得器件的： 输入电容： Cin＝CGS＋CGD。 输出电容: Cout＝CGD＋CDS。 反馈电容： Cr＝CGD。 正是Cin在开关过程中需要进行充、放电，影响了开关速度。同时也可看出，静态时虽栅极电流很小，驱动功率小，但动态时由于电容充放电电流有一定强度，故动态驱动仍需一定的栅极功率。开关频率越高，栅极驱动功率也越大。 1.5.2 P-MOSFET的基本特性 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 ——P-MOSFET是多数载流子器件，不存在少数载流子特有的存贮效应，因此开关时间很短，典型值为20ns，影响开关速度的主要是器件极间电容。 可降低信号源驱动电路内阻Rs减小Ci 充、放电时间常数，加快开关速度。 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 1.5.3 P-MOSFET的主要参数 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有： 1.5.3 P-MOSFET的主要参数 1.5.4 P-MOSFET的安全工作区 功率MOSFET具有电流负温度效应，没有二次击穿问题，具有非常宽的安全工作区，特别是在高电压范围内，但是功率MOSFE