2 第四版 第2讲 半导体二极管(修改).pptVIP

第三讲 半导体二极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 四、二极管的等效电路 1. 将伏安特性折线化 三、二极管的等效电路 五、稳压二极管 五、稳压二极管 主要参数 讨论一  判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。 讨论二 讨论二 * 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 点接触型： 结面积小，结电容小 允许的电流小 工作频率高 面接触型： 结面积大，结电容大 允许的电流大 工作频率低 平面型： 结面积可小、可大 小的工作频率高 大的结允许的电流大 几～几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge nA级 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 ) ( u f i = 开启电压 反向饱和电流 击穿电压 mV) 26 ( ) 1 e ( T S T = - = U I i U u 常温下 温度的 电压当量 1. 正向特性 当正向电压比较小时，正向电流很小，几乎为零。 　　相应的电压叫死区电压。范围称死区。死区电压与材料和温度有关，硅管约 0.5 V 左右，锗管约 0.1 V 左右。 正向特性 死区电压 60 40 20 0 0.4 0.8 I / mA U / V 　　当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。 2. 反向特性 – 0.02 – 0.04 0 –25 –50 I / mA U / V 反向特性 　　当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和； 　　二极管加反向电压，反向电流很小； 　　如果反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大； 反向饱和电流 这种现象称击穿，对应电压叫反向击穿电压。 　　击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。 击穿电压 U(BR) 。 ，则 若反向电压 ； ，则 若正向电压 S T S T T e I i U u I i U u U u - ? ? ) 1 e ( T S - = U u I i 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 正向特性为指数曲线 反向特性为横轴的平行线 结论： 　　二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开。 　　从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。 三、二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 UR 　　工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。 3. 反向电流 IR 通常希望 IR 值愈小愈好。 4. 最高工作频率 fM 　　fM 值主要 决定于 PN 结结电容的大小。结电容愈大，二极管允许的最高工作频率愈低。 理想 二极管 近似分析中最常用 理想开关 导通时 UD＝0截止时IS＝0 导通时UD＝Uon 截止时IS＝0 导通时i与u成线性关系 应根据不同情况选择不同的等效电路！ Q越高，rd越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 2. 微变等效电路 1. 伏安特性 最小维持电流 最大允许电流 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 a)伏安特性 b)符号和等效电路图 　　稳压管工作于反向击穿区。 稳定电压UZ：是在规定的电流下稳压管的反向击穿电压 稳定电流IZ ：是稳压管工作在稳压状态时的参考电流。 最大功耗PZM：PZM＝ IZM UZ 动态电阻rz： 是稳压管工作在稳压区时，端电压的变化量与其电流变化量之比，即rz ＝ΔUZ /ΔIZ 　　rZ 愈小愈好。对于同一个稳压管，工作电流愈大， rZ 值愈小。 电压温度系数 ?U 　　稳压管电流不变时，环境温度每变化 1 ℃ 引起稳定电压变化的百分比。 　　(1) UZ 7 V, ?U 0；UZ 4 V，?U 0； 　 (2) UZ 在 4 ~ 7 V 之间，?U 值比较小，性能比较稳定。 　 2CW17：UZ = 9 ~