2.2 二极管.pptVIP

二极管电路仿真 2.3.1 二极管的结构和类型 1、结构： 一个PN结； 电路符号： 负极 2、类型: 1）按半导体材料不同分为硅二极管和锗二极管； 2）按结构不同分为点接触型和平面型。 3）按用途不同分为整流二极管、检波二极管等。 （a）点接触型 （b）面接触型 结电容小，用于高频电路。 PN结面积大，用于工频大电流整流电路 uD iD 二极管的伏安特性曲线 2.3.2 二极管的伏安特性 iD = f(uD) 非线性元件 分三个区：正向工作区、反向工作区、反向击穿区。 硅管：UD=0.5 V左右，锗管： UD=0.1 V左右。 当0＜u＜UD时，正向电流为零，UD称为死区电压或开启电压； 当u＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当u＞UD时，开始出现正向电流，并按指数规律增长，二极管导通。 二极管的导通电压： (1) 正向特性 UON 当u＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当UBR＜u＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当U≥UBR时，反向电流急剧增加，二极管失去单向导电性。 (2) 反向特性 锗管：IS较大，uA级; 硅管： IS较小，nA级; 说明什么？ UBR称为反向击穿电压 。 （3）二极管的电流、电压关系 根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示 I：为通过二极管的电流； U ：为二极管两端的电压降； IS ：为反向饱和电流； UT：UT =kT/q 称为温度的电压当量；（k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度） 室温（相当T=300 K）下，则有UT=26 mV。 （4）半导体二极管的温度特性 温度对二极管的性能有较大的影响。 温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降大约减小2mV。 温度或光照升高时，反向电流将呈指数规律增加。 温度传感器 光电耦合器 2.3.3 二极管的主要电参数 (1) 最大整流电流IF：二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。 (2) 最大反向工作电压UR：为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压UR一般只按反向击穿电压UBR的一半计算。 （3）反向电流IS：IS是指在室温和最大反向电压下的反向电流。IS愈小，二极管的单向导电性愈好，IS对温度比较敏感。 2.3.4 二极管电路的分析方法 （1）理想二极管模型 特性 等效于 开关 S S 正偏导通，uD = 0； 反偏截止， iD = 0 1、二极管电路的静态分析 （2）二极管的恒压降模型 （3）二极管的折线近似模型 uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) 理想 理想 rD：二极管正向导通时的等效电阻，一般为几十Ω~200Ω； 解：当ED=0V时，二极管截止，I=0 当ED=1V时，二极管导通， 当ED=10V， 【例2.1】 图示电路中，二极管的UON=0.7V，R=1kΩ，试计算当ED分别为0V、1V和10V时，I的数值各是多大? 2、二极管电路的动态分析（略） 2.3.5 半导体二极管的应用举例 1、整流应用 把双向流动的交流电变换成单向流动的直流电的过程称为整流。 uim ui t 0 t uo *2、检波应用 3、限幅应用 限幅:限制输出电压的幅度，输出设定电压值。 例1： 已知电路的输入波形 u i 为正弦波，二极管的uD 为0.6伏，试画出其输出电压uo波形。 例2： 已知电路的输入波形为 u i ,二极管的uD 为0.6伏，试画出其输出电压uo波形。 解： Ui 3.6V时，二极管导通，Uo=3.6V。 Ui 3.6V时，二极管截止， Uo=Ui。 UD=（Ui-E）0.6V,导通，否则截止。 UD + - 3.6 3.6 -5 上限幅 如何实现下限幅？