开关稳压器.pptVIP

开关稳压器概述 斩波方式在输入输出端之间几乎没有电气绝缘，所以不能用于采用商用电源的线性可调电源。 斩波方式不适宜称为开关稳压器，多用于构成DC-DC转换器，即由一种直流电源得到另一种所需的直流电源。 真正的开关稳压器是由变频方式构成的，主要有小型（小容量）RCC方式、中容量的正向变换器方式、大容量的多晶体管变换器方式。 开关稳压器是通过控制晶体管在ON状态、OFF状态之间切换（开关动作）使输出电压保持稳定。晶体管完全处于ON状态时，Vce（sat）=1V，晶体管的集电极-发射极电压Vce很小。此时，纵然有集电极电流Io流过晶体管，也不会引起过大的功率损耗。 另外 ，开关稳压器处于OFF状态时无集电极电流，当然也就不存在功率损耗。这就是开关稳压器功率损耗小的主要原因。 开关稳压器处于按需供应，非串联稳压器的一直供应。 开关电路输出的电流不是直流，它的后面还需要连接整流平滑电流，把脉动电流转换成直流电流。 开关稳压器的整流、平滑电路 开关稳压器的整流、平滑电路有电容器输入型和扼流线圈输入型两类，需要根据开关稳压器的电路方式加以灵活运用。 降压型斩波开关稳压器中采用扼流线圈输入型，而升压型斩波和反极性斩波开关稳压器则采用电容输入型。 按需供应（调节晶体管的ON和OFF比例），可以得到任意值的直流、稳定输出电压。 通常把不经过电源变压器，而是将AC直接输入电源的开关稳压器称为线性可调型电源或离线变换器。 线性可调型开关稳压器结构，a.为自励型b.为他励型。 自励型，由开关晶体管和输出变压器产生持续振荡。电路的构成简单，只适用于小功率输出的设备。 他励型，控制电路中有振荡器，电路结构复杂但特性好，适用于大功率设备。 线性可调型开关稳压器包含输出变压器，输入和输出之间必须进行隔离，以避免产生感应电压。 通常开关晶体管的开关频率都设定在人的听觉频率之外，超过20KHz以上。 开关稳压器的基本形式 斩波方式适用于局部稳压 RCC方式适用于50W以下 正向变换器适用于高频场合 推挽方式适用于小于300W的场合 半桥方式适用于AC100V/AC200V输入 该方式与推挽方式相同，也采用两个晶体管。 半桥式开关晶体管的Vce为推挽式晶体管的1/2，集电极电流为推挽式的2倍。基于这些特点，半桥式适用于输入电压为100V/200V的共用型电源。即输入为AC100V时，它起到倍压整流的作用，而输入200V时起到普通桥式整流的作用。取晶体管的耐压Vce为400V即可。 变压器磁芯的选择 开关稳压器的工作频率一般为高频，超过数十千赫以上，所以作用工频电源变压器的硅钢片不合适做扼流线圈的磁芯。因为硅钢片铁心线圈的铁损和所谓的磁芯损耗都非常大，大的损耗将使线圈产生很高的温升。 可采用主要成分为钼的粉末压制磁芯。 铁氧体磁芯在设计时需要设计成带气隙的，从气隙泄放出去的漏磁是引起噪声的主要原因。 目前非晶态材质的环型磁芯具有最好的性能。 晶体管开关特性 晶体管实际上的导通时间为Tr，基极电流为零之后返回到晶体管OFF状态的存储时间为Tstg，而晶体管关断所需的时间为Tf，在存储时间Tstg内晶体管仍然处于ON状态，因而该时间越长，晶体管的开关动作越不理想。 Tstg是影响晶体管开关时间的一个重要因素。产生了理想状态与实际状态的差距。 Hfe越大则Tstg越长，Tstg还随温度的升高而延长。 减小Tstg的措施 通过基极-发射极间的连接电阻Rbe释放蓄积的电荷，将大大改善晶体管的开关特性。 当晶体管从ON向OFF切换的瞬间，在发射极到基极方向给晶体管加上一个反向偏置电压。 选择晶体管的要点 开关稳压器多数用于低电压的斩波稳压器，在设计晶体管时应尤其注意Tstg，如果选择所谓的高速开关功率晶体管，一般都不会产生问题。 在耐压设计上，输入AC100V，需要耐压Vceo=400V的晶体管，而输入AC200V，则需耐压Vceo=800V的晶体管。 晶体管的集电极电流的合理取值应为最大额定值的1/2~1/3。 二极管 大部分选用SBD（肖特基二极管）。二极管上的标示和普通二极管一样。测试方式也一样。体积稍大，引脚也粗。也有允许的额定电流和耐压范围，根据电路的最大电流，选取器件。画PCB时需要拿到实物再画，SBD的尺寸厂家不一样，大小有差别。 斩波稳压器的设计方法 图2.2给出了由晶体管直接对输入电源进行开关控制的电路所构成的斩波稳压器。直流输入电压Vin首先经过晶体管转换称为高频的电源。然后经扼流线圈L和电容器C后重新变成直流。 如果晶体管ON，输入电压Vin就会给扼流线圈L、电容器C以及负载提供能量。当电流流过L时，扼流线圈存储能量。由于此时二极管D处于OFF状态，所以就如同它不存在一样。 接下去如果晶体管OFF，情况将如何呢？此时，扼流线圈L通过二极管D释放存储的能量，