传感器技术2-电阻应变式传感器-中英对照.pptVIP

1. 金属材料(metallic material)的应变电阻效应 对金属材料来说，电阻丝灵敏度系数表达式中1+2μ的值要比(dρ/ρ)/ε大很多，所以金属丝材的应变电阻效应以结构尺寸变化为主。金属材料的电阻相对变化与其线应变成正比。这就是金属材料的应变-电阻效应(stain-resistance effect)。对金属或合金alloy, 一般Km=1.8～4.8。 2. 半导体材料的压阻效应(piezo-resistance effect) 压阻效应是指半导体材料(semiconductor material)，当某一轴向受外力作用时， 其电阻率ρ发生变化的现象。 式中：π——半导体材料的压阻系数;σ——半导体材料的所受应变力; E——半导体材料的弹性模量Modulus of elasticity; ε——半导体材料的应变。 2. 半导体材料的压阻效应(Piezoresistive Effect) 通过上面的推导我们可以得到： 由于πE(1+2μ)，因此半导体丝材的Ks≈πE。可见，半导体材料的应变电阻效应主要基于压阻效应。通常Ks=(50～80)Km。 而栅长 l 范围〔xt±(l/2)〕内的平均应变为 相对误差为： 上式表明，当频率增加时，误差增大,因此应使　　　　　　　 或 一、温度效应(temperature effect)及其热输出(thermal output) 1、温度效应(temperature effect) 设工作温度变化为Δt℃，则引起粘贴在试件上的应变计电阻的相对变化为: ????????????????????????????????? αt——敏感栅材料的电阻温度系数； K——应变计的灵敏系数； βs、βt——分别为试件和敏感栅材料的线膨胀系数(coefficient of linear expansion)。 2、热输出(thermal output) 相对的热输出为: 应变计的温度效应及其热输出由两部分组成：前部分为热阻效应所造成；后部分为敏感栅与试件热膨胀(thermal expansion)失配(mismatch)所引起。在工作温度变化较大时，这种热输出干扰必须加以补偿。 二、热输出补偿方法 1、温度自补偿法(self compensation) 精心选配敏感栅材料与结构参数来实现热输出补偿 。 (1)单丝(single wire)自补偿应变计 在研制和选用应变计时，若选择敏感栅的合金(alloy)材料，其αt 、βt能与试件材料的βs相匹配，即满足 ，达到温度自补偿的目的。 二、热输出补偿方法 1、温度自补偿法 (2)双丝(double-wire)自 补偿应变计 敏感栅由电阻温度系数 一正一负的两种合金丝串接 而成。当工作温度变化时， 若Ra栅产生正的热输出εa 与Rb栅产生负的热输出εb 相等或相近，就可达到 自补偿的目的，即: 二、热输出补偿方法 2、桥路(bridge circuit)补偿法 （1）双丝半桥式(double-wire half-bridge) 二、热输出补偿方法 2、桥路补偿法 （1）双丝半桥式 敏感栅由同符号电阻温度系数的两种合金丝串接而成，工作栅(work grip)R1接入工作臂，补偿栅(compensation grip)R2外接串接电阻RB(不敏感温度影响)接入补偿臂，当温度变化时，只要电桥工作臂(work arm)和补偿臂(compensation arm)的热输出相等或相近，就能达到热补偿目的。 2、桥路补偿法 （2）补偿块(compensation unit)法 2、桥路补偿法 （3）差动电桥法 Differential bridge 巧妙地安 装应变片可以 起补偿作用并 提高灵敏度。 将两个应变片分别贴于悬梁上下对称位置，R1、R2特性相同，所以两电阻变化值相同而符号相反。因而电桥输出电压比单片时增加1倍。当梁上下温度一致时，R2与R1可起温度补偿作用。 应变电桥(strain bridge) 直流电桥(DC bridge)与交流电桥(AC bridge) 直流电桥只接入电阻R 交流电桥可接入I,C,R 平衡电桥(balanced bridge)与不平衡电桥(unbalanced bridge) 全等臂(full equal arm)与半等臂(half equal arm) 输出端对称(output symmetric)与电源对称(power source symmetric) 直流电桥及其输出特性(output features) 电桥平衡的条件：