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学习指导 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。? 主要内容: 半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电路。 学习目标： 1、半导体二极管的单向导电性； 2、掌握半导体二极管的伏安特性及其电路的分析方法； 3、正确理解半导体二极管的主要参数； 4、掌握稳压管工作原理及使用中的注意事项。 1、二极管电路的分析概述 2.二极管状态判断 * 1.3 半导体二极管 小结 学习指导 Ch1 半导体二极管三极管 1.3 半导体二极管 1.3.1 半导体二极管的结构 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的参数 实物图片 1.3.4 二极管基本电路及其分析方法 1.3.5 特殊二极管 1.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分为点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 晶体二极管 1.正向起始部分存在一个死区或门坎，称为门限电压。 硅：Vr=0.5-0.6v; 锗：Vr=0.1-0.2v 2.加反向电压时，反向电流很小 即Is硅(nA)Is锗(?A) 硅管比锗管稳定 3.当反压增大VB时再增加，反向电流激增，发生反向击穿， VB称为反向击穿电压。 ① ② ③ 二极管的伏安特性可用下式表示 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容CB 1.3.4 二极管基本电路及其分析方法 1.3.4.1 二极管V- I 特性的建模 1.3.4.2 应用举例 主要内容 3、应用电路分析举例 2、二极管状态判断 1、二极管电路的分析概述 1.3.4.1 二极管V- I 特性的建模 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 正偏时导通，管压降为0V;反偏时截止，电流为0。 VD=0.7V（硅）VD=0.2V（锗） 管子导通后,管压降认为是恒定的。 Vth=0.5V(硅） Vth=0.1V(锗） 管压降不是恒定的,而是随电流的增加而增加。 1.3.4.2 应用举例 初步分析——依据二极管的单向导电性 D导通：vO = vI - vD D截止：vO = 0 D导通：vO = vD D截止：vO = vI 左图 中图 显然，vO 与 vI 的关系由D的状态决定 而且，D处于反向截止时最简单！ 右图 D导通：vO = vD+ vREF D截止：vO = vI 例1：2CP1（硅），IF=16mA，VBR=40V。求VD、ID。 (a) (b) (c) (d) 正偏 正偏 反偏 反偏 iD IF ？ D反向截止 ID = 0 VD = -10V D反向击穿 iD = ？ vD = ？ 二极管状态判断方法 假设D截止(开路)，求D两端开路电压 普通：热击穿－损坏 齐纳：电击穿 VD = - VBR= -40V VD 0V D正向导通？ - VBR VD ? 0V D反向截止， ID = 0 VD ? - VBR D反向击穿， VD = - VBR D正向导通？ D正向导通！ 例2. 电路如图所示，判断D的状态 解： 先断开D，求二极管端电压 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 以O为基准电位，即O点为0V。 VD = -6V -(-12V) = 6V 0 ? D接入时正向导通 3 . 应用电路分析举例 （1）整流电路 见P57 （2）限幅电路 见P58 1.3.5 特殊二极管 稳压二极管 稳压二极管 稳压特性 稳压原理：在反向击穿时，电流在很大范围内变化时，只引起很小的电压变化。 正向部分与普通二极管相同 RZ VZ 稳压管稳压时必须工作在反向电击穿状态。（齐纳击穿） 当反向电压加到一定值时，反向电流急剧增加，产生反向击穿。 稳压管工作时应反接，并串入一只电阻。电阻的作用一是起限流作用。二是调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 应用方法 稳压二极管 稳压