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【例8-2】片外扩展16KB的EPROM EPROM是可紫外线擦除的可编程的只读存储器。 正常工作时,CPU对其只读不写, 掉电后它其中的内容不会丢失。 用紫外线照射擦除其中的内容后,在编程器中可以 重新写入新的内容。 通常片外扩展ROM使用27系列的EPROM器件。 27系列的EPROM器件品种很多,如: 2708(1K×8)、2716(2K×8)、 2732(4K×8)、2764(8K×8)、 27128(16K×8)、27256(32K×8)等。 16KB的ROM选用27128芯片: 27128是16K×8位的EPROM 14条地址线,可寻址16,384个单元, 连接89C51低14位地址线(A0-A13) 8条数据线,每个存储单元存放8位, 和89C51的8条数据线相连。 片选信号输入端CE,低电平有效, 连接到89C51高位地址线,或由 高位地址译码产生片选信号。 输出允许输入端OE,低电平有效, 和89C51的PSEN输出信号相连, 作为程序存储器读选通控制。 89C51片外扩展16KBROM的电路图 89C51片外扩展16KB ROM: ROM选用27128 EPROM, 地址锁存使用 74LS373 锁存器。 由图中可以看到: 27128的CE端接到了P2.6即A14上, 27128所占的存储空间就为: 程序存储器的0000H—3FFFH。 对ROM的读取指令要使用查表指令: MOVC A,@A+PC 或 MOVC A, @A+DPTR 8.3.3 外部数据存储器的扩展 1. 89C51的数据存储器RAM空间 数据存储器RAM用来存放运算数据。 特点: CPU对其可读可写; 掉电后, 数据会丢失。 89C51可访问的RAM有: 片内RAM,和片外可扩展的RAM。 片内128个字节RAM,地址范围为00H—7FH。 片内分散着21个SFR,地址范围在80H—FFH。 片外扩展数据存储器的最大空间为64KB, 存储器地址范围为0000H—FFFFH。 通常使用静态随机读写存储器SRAM器件。 2. 89C51对片外数据存储器的访问 片外扩展RAM需要片外系统总线: 地址总线(16位): 低8位(A0-A7)由P0口分时提供,由74LS373锁存。 高8位地址(A8-A15)由P2口提供。 数据总线(8位)由P0口分时提供。 控制总线: ROM和RAM单独编址(哈佛结构), 控制信号有: RD (P3.7):外部数据存储器读选通信号。 通常连RAM的OE(输出允许)端。 WR (P3.6)—外部数据存储器写选通信号。 通常连RAM的WE(写允许信号)端。 对片外RAM读写时: 使用MOVX指令, 采用寄存器间接寻址方式, 间址寄存器可以使用DPTR和Ri(R0、R1)。 指令如下: 输入(读)指令: MOVX A,@DPTR 或 MOVX A, @Ri 输出(写)指令: MOVX @DPTR,A 或 MOVX @Ri,A 【例8-3】片外扩展32KB的 SRAM 常用的SRAM有:6116 (2K×8),6264 (8K×8)、 62128 (16K×8)、62256 (32K×8)等。 62256是32K×8位的SRAM: 15条地址线, 寻址32K单元, 和89C51的A0-A14相连。 8条数据线,存放8位数据, 和89C51的8条数据线相连。 CE为片选信号输入端。 OE为输出允许信号输入端, 和89C51的RD(P3.7)相连。 WE为写允许信号输入端, 和89C51的WR (P3.6)相连。 89C51扩展32KBSRAM电路图 89C51片外扩展32KB RAM: RAM选用 62256 SRAM, 地址锁存使用 74LS373 锁存器。 62256的CE端接到 P2.7 (A15) 输出的反相器上, 62256所占的存储空间就为:
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