半导体特性.pptVIP

四、杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体 一、 N 型半导体 掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 掺入少量五价杂质元素磷 P +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P * 固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1 ？什么是半导体 从导电特性和机制来分： 不同电阻特性 不同输运机制 按组成分： 无机半导体：元素、化合物 有机半导体 按结构分: 晶体：单晶体、多晶体 非晶体、无定形 一、半导体材料的分类 按功能和应用分 微电子半导体（集成电路） 光电半导体（LED、光伏器件） 热电半导体（热电制冷和发电） 微波半导体 气敏半导体（传感器） ∶ ∶ 1.无机半导体材料 无机半导体晶体材料包含元素半导体、化合物半导体及固溶体半导体。 (1)元素半导体晶体 Si、Ge、Se 等元素 化合物 半导体 Ⅲ-Ⅴ族 Ⅱ-Ⅵ族 金 属氧化物 Ⅳ-Ⅵ族 Ⅴ-Ⅵ族 Ⅳ-Ⅳ族 InP、GaN、GaAs、InSb、InAs CdS、CdTe、CdSe、 ZnS SiC GeS、SnTe、GeSe、PbS、PbTe AsSe3、AsTe3、AsS3、SbS3 CuO2、ZnO、SnO2 (2)化合物半导体 最常用的半导体材料 锗 硅 半导体导电性能是由其原子结构决定的。 硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 二、半导体的几个重要特性： （1） 热敏特性 （2）光敏特性 （3）掺杂特性 +14 2 8 4 Si 硅原子结构示意图 +32 2 8 18 Ge 锗原子结构示意图 4 原子结构示意图 +4 硅、锗原子的简化模型 1. 半导体的结构 原子结合形式：共价键 形成的晶体结构： 构 成 一 个正四 面体， 具 有 金 刚 石 晶 体 结 构 半导体的结合和晶体结构 金刚石结构 半导体有元素半导体，如：Si、Ge 化合物半导体，如：GaAs、InP、ZnS 2. 半导体中的载流子：能够导电的自由粒子 本征半导体：n=p=ni 电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位 3. 半导体的能带 (价带、导带和带隙) 量子态和能级 固体的能带结构 原子能级 能带 价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差 半导体的能带结构 导 带 价 带 Eg 半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子，但与真空中的自由粒子不同，考虑了晶格作用后的等效粒子 有效质量可正、可负，取决于与晶格的作用 电子和空穴的有效质量m* 　三、本征半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 　　完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 价电子 共价键 高纯半导体，纯度达99.999999999％（11个9） +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 　　空穴可看成带正电的载流子，半导体区别于导体的一个重要特点。 2、本征半导体的结构 共价键 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴 本征激发：在室温或光照下价电子获得足够的能量摆脱共价健的束缚成为自由电子，并在共价健中留下一个空位（空穴）的过程。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体受热或光照 本征激发产生电子和空穴 自由电子 空穴 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 电子空穴成对产生 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 电子空穴复合，成对消失 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 一定温度下，电子－空穴对的产生与复合达到平衡，使自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大，因此半导体器件的特性对温度较为敏感。 在常温(T=300K)下, Ge: 本