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内存基本知识(二) 　　什幺是Shadow RAM内存 　　Shadow RAM也称为“影子”内存。它是为了提高系统效率而采用的一种专门技术。Shadow RAM所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM(动态随机存取存储器)芯片。Shadow RAM占据了系统主存的一部分地址空间。其编址范围为C0000～FFFFF，即为1MB主存中的768KB～1024KB区域。这个区域通常也称为内存保留区，用户程序不能直接访问。Shadow RAM的功能是用来存放各种ROM BIOS的内容。或者说Shadow RAM中的内容是ROM BIOS的拷贝。因此也把它称为ROM Shadow(即Shadow RAM的内容是ROM BIOS的“影子”)。在机器上电时，将自动地把系统BIOS、显示BIOS及其它适配器的BIOS装载到Shadow RAM的指定区域中。由于Shadow RAM的物理编址与对应的ROM相同，所以当需要访问BIOS时，只需访问Shadow RAM即可，而不必再访问ROM。通常访问ROM的时间在200ns左右，而访问DRAM的时间小于100ns(最新的DRAM芯片访问时间为60ns左右或者更小)。在系统运行的过程中，读取BIOS中的数据或调用BIOS中的程序模块是相当频繁的。显然，采用了Shadow技术后，将大大提高系统的工作效率。按下按键你可以看到该地址空间分配图,在如图所示的1MB主存地址空间中，640KB以下的区域是常规内存。640KB～768KB区域保留为显示缓冲区。768KB～1024KB区域即为Shadow RAM区。在系统设置中，又把这个区域按16KB大小的尺寸分为块，由用户设定是否允许使用。C0000～C7FFF这两个16KB块(共32KB)通常用作显示卡的ROM BIOS的Shadow区。C8000～EFFFF这10个16KB块可作为其它适配器的ROM BIOS的Shadow区。F0000～FFFFF共64KB规定由系统ROM BIOS使用。应该说明的是，只有当系统配置有640KB以上的内存时才有可能使用Shadow RAM。在系统内存大于640KB时，用户可在CMOS设置中按照ROM Shadow分块提示，把超过640KB以上的内存分别设置为“允许”(Enabled)即可。 　　什幺是EDO RAM 　　内存是计算机中最主要的部件之一。微机诞生以来，它的心脏--CPU几经改朝换代，目前已发展到了PentiumⅡ，较之于当初，它在速度上已有两个数量级的增长。而内存的构成器件RAM(随机存储器)--一般为DRAM(动态随机存储器)，虽然单个芯片的容量不断扩大，但存取速度并没有太大的提高。虽然人们早就采用高速但昂贵的SRAM芯片在CPU和内存之间增加一种缓冲设备--Cache，以缓冲两者之间的速度不匹配问题。但这并不能根本解决问题。于是人们把注意力集中到DRAM接口(芯片收发数据的途径上)。在RAM芯片之中，除存储单元之外，还有一些附加逻辑电路，现在，人们已注意到RAM芯片的附加逻辑电路，通过增加少量的额外逻辑电路，可以提高在单位时间内的数据流量，即所谓的增加带宽。EDO正是在这个方面作出了尝试。扩展数据输出(Extended data out--EDO，有时也称为超页模式--hypermode)DRAM，和突发式EDO(Bust EDO-BEDO)DRAM是两种基于页模式内存的内存技术。EDO大约一年前被引入主流PC，从那以后成为许多系统厂商的主要内存选择。BEDO相对更新一些，对市场的吸引还未能达到EDO的水平。EDO的工作方式颇类似于FPM DRAM：先触发内存中的一行，然后触发所需的那一列。但是当找到所需的那条信息时，EDO DRAM不是将该列变为非触发状态而且关闭输出缓冲区(这是FPM DRAM采取的方式)，而是将输出数据缓冲区保持开放，直到下一列存取或下一读周期开始。由于缓冲区保持开放，因而EDO消除了等待状态，且突发式传送更加迅速。EDO还具有比FPM DRAM的6-3-3-3更快的理想化突发式读周期时钟安排：6-2-2-2。这使得在66MHz总线上从DRAM中读取一组由四个元素组成的数据块时能节省3个时钟周期。EDO易于实现，而且在价格上EDO与FPM没有什幺差别，所以没有理由不选择EDO。BEDO DRAM比EDO能更大程度地改善FPM的时钟周期。由于大多数PC应用程序以四周期突发方式访问内存，以便填充高速缓冲内存(系统内存将数据填充至L2高速缓存，如果没有L2高速缓存，则填充至CPU)，所以一旦知道了第一个地址，接下来的三个就可以很快地由DRAM提供。BEDO最本质的改进是在芯片上增加了一个地址计数器，用来跟踪下一个地址。BEDO还增加了流水线级，允许页访问周期被划分为两个部分。对于内存