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第五章 半导体 Semiconductor 5.0 引言 半导体载流子的有效质量 杂质半导体 热平衡载流子分布 半导体的光吸收 半导体界面特性 典型半导体材料的能带结构 5.1 典型的半导体能带结构 5.2电子的有效质量 半导体吸收光谱示意图 5.6半导体光吸收 四、半导体其它光吸收机制 光电器件的光电流为： 一种光电器件的基本电路原理 5.6半导体光吸收 五、半导体的光电导 两种载流子的霍尔效应示意图 B, z y x q J e vx e|vB| B, z y x q J e vx e|vB| 空穴 电子 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 在洛伦兹力的作用下，在垂直于的样品端面上就会形成电荷累积，形成霍尔电场； 电子或空穴受到两个力的作用，一是磁场中的洛伦兹力；一是霍尔电场中的电场力； 达到平衡时，必然是洛伦兹力同电场力相等，所以有： 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 — 霍尔系数 霍尔角的正切为： 电子载流子的霍尔角为， 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 空穴载流子的霍尔系数和霍尔角分别为： 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 B, z t w VH I 霍尔电压测量原理示意图 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 霍尔电压，记为VH： 总的霍尔系数可以表示为： 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 载流子所受的洛伦兹力和霍尔 电场力相平衡时载流子的运动 5.7半导体的磁学性质 二、半导体的磁阻效应 磁阻效应：在垂直于电流方向上施加磁场，沿外加电场方向的电流密度有所降低，即表观电阻增大，称此效应为磁阻效应 5.7半导体的磁学性质 二、半导体的磁阻效应 具有与霍尔电场相平衡速度的载流子的运动 速度较大载流子的运动 速度较小载流子运动 (a) 长方形样品l/d 1，(b) 长方形样品l/d 1，(c) 科比诺圆盘 半导体几何磁阻 5.7半导体的磁学性质 二、半导体的磁阻效应 5.8半导体界面特性 一、p-n结 pn regions “touch” free carriers move electrons EV EF EC EF p-type n-type p-n结接触前的能带结构示意图 Depletion Zone pn regions in equilibrium EV EF EC + + + + + + + + + + + + – – – – – – – – – – – – 5.8半导体界面特性 一、p-n结 p-n结接触后的平衡能带结构示意图 p-n结 n型 p型 p-n结平衡后，实际上在结区两端建立起了一个势垒，eVD，势垒的大小为： 结合上式得： 5.8半导体界面特性 一、p-n结 5.8半导体界面特性 一、p-n结 p－n结正向偏压时的能带和结区的变化 5.8半导体界面特性 一、p-n结 p－n结反向偏压时的能带和结区的变化 * 主要内容 学习提示 以下问题是难点，须认真学习和体会 有效质量的物理意义 杂质对半导体费米能级及导电性的影响 半导体界面特性 金钢石结构和面心立方晶体的第一布里渊区示意图 5.1 典型的半导体能带结构 Si的能带结构 直接带隙半导体 (a) 和间接带隙半导体 (b) 能带示意图 （a） （b） 理想半导体的能带结构 一维情况： 价带顶附近的有效质量量为负 导带底附近的有效质量为正 为了克服价带顶电子有效质量负值的困难，引入价带顶空穴的概念 三维情况： 5.2电子的有效质量 Si中掺P后的共价网络示意图 5.3半导体的掺杂 五价P提供的多余电子状态 束缚在P+周围形成弱的束缚态 参与价电子公有化，成为非局域化电子 如何处理这个束缚态 束缚态能级与能带之间的关系 一、施主掺杂 n=1, 2, 3,… 氢原子的位能函数为 能级为 5.3半导体的掺杂 一、施主掺杂 束缚态能级的类氢原子处理 氢原子 为了表达屏蔽作用，对势函数进行修正： 束缚态能级： 电子从施主能级跃迁至导带底部留下的电离施主 施主能级和施主电离示意图 5.3半导体的掺杂 一、施主掺杂 Si中掺B后的共价键网络示意图 5.3半导体的掺杂 一、受主掺杂 利用类氢原子模型可以得到 空穴从受主能级跃迁至价带留下的电离受主 受主能级及受主电离示意图 5.3半导体的掺杂 二、受主掺杂 导带上的电子数N(T)为 一、导带上的电子浓度 5.4热平衡载流子分布 若导带底可以近似为抛物线 5.4热平衡载流子分布 二、导带上的电子浓度 导带上的电子浓度为 5