波导特性.docVIP

2009年芬兰Helsinki技术大学的A. S?yn?tjoki等人研究了在狭缝波导中采用倾斜侧壁结构的优越性。采用倾斜壁狭缝结构波导的模式大多集中在狭缝的底部，有效模式的面积随着狭缝底部宽度的减小而减小，由此表明模式限制增强了。倾斜壁原子层沉积生长，采用钛氧化物作为ALD的生长材料很好的用作狭缝的非线性填充材料。FEM—FimmWave 软件（Advantages of Angled Sidewalls in Slot Waveguides------ A. S?yn?tjoki、T. Alasaarela、A. Khanna、L. Karvonen） 2010年日本北海道大学Masa-aki KOMATSU等人研究了水平狭缝波导高非线性特性和低而平坦的色散特性。数值模拟结果显示6000/W/m的非线性系数，平坦色散带宽为260nm,制作容差为±10nm。FEM( Highly-Nonlinear Horizontal Slot Waveguides with Low and Flat Dispersion--- Masa-aki KOMATSU、Kunimasa SAITOH、Masanori KOSHIBA) 2010年G. Pandraud等人研究了SiC-SiO2-SiC水平结构的狭缝波导。1.3um的波导测试的准TM模式传输损耗为23.9±1.2dB/cm。目前报道的最少损耗的垂直式50nm单狭缝波导的TE模的损耗约为11.6±3.6dB/cm。SiC材料的折射率小于Si但是远高于SiO2，制作时有更高的容差能力。NSiC=2.35，NSiO2=1.45，通过改变波导结构测得在狭缝厚为238nm，板厚为108nm条件下最大的限制功率为38%。如果减小横向尺寸，那么准TE模式将会消失，而准TM模不会有太多的影响。此结构的波导有望用于传感。（Demonstration of PECVD SiC–SiO –SiC Horizontal Slot Waveguides------G. Pandraud, A. Barbosa Neira, E. Margallo-Balbas, C. K. Yang, and P. M. Sarro）cut-back method 2009年美国南加州大学和惠普实验室的Lin Zhang等人研究在高非线性狭缝波导中实现宽波长范围的统一色散。扁平的色散特性能够用于信号处理，零色散在302nm波长范围内达±0.12ps/nm/m，非线性系数在1550nm时达到4300/m/W，这种水平狭缝波导的底部采用类似脊状波导的结构参数控制色散。文中提出两种可能的水平狭缝波导材料：As2S3（能够减少整个双光子吸收的系数）和硅纳米晶体Si nc（显著增加非线性系数）。采用硫族狭缝波导比常规的条状波导的双光子吸收系数小3倍，可用于实现共振增强的非线性器件；采用硅纳米晶体狭缝波导虽然双光子吸收系数相应增加但是非线性系数显著增加了，此特性可用于设计低功耗的非线性器件。FEM—3nm（Achieving Uniform Chromatic Dispersion over a Wide Wavelength Range in Highly Nonlinear Slot Waveguides----- Lin Zhang、Yang Yue、Yinying Xiao-Li、Jian Wang、Raymond G. Beausoleil、Alan E. Willner） 2010年美国南加州大学和惠普实验室的Yinying Xiao-Li等人研究了在高非线性狭缝波导中的平低色散。文中的波导采用水平波导，Si纳米晶体和硫系玻璃材料用作狭缝材料。在Si纳米晶体狭缝材料中，超过244nm带宽，色散能达到0±0.16ps/(nm.m)，非线性系数为2874/(W.m)。在As2S3狭缝波导材料中，超过249nm带宽，色散能达到0±0.17ps/(nm.m)，非线性系数是As2S3脊形波导的16倍，非线性特性是Si条形波导的三倍。FEM( Flat and low dispersion in highly nonlinear slot waveguides----- Lin Zhang，Yang Yue，Yinying Xiao-Li，Jian Wang，Raymond G. Beausoleil，Alan E. Willner) 2010年美国南加州大学和惠普实验室的Lin Zhang等人研究在狭缝波导中的扁平色散。文中提出的条形和狭缝混合型波导产生的553nm波长范围的扁平色散为0±16ps/(nm.km)，是之前报道的扁平度的20倍，此结构有三个零色散点。 低色散光可应用于数据信号的相位匹配使非线性相互作用最大化，还可用