如何提高芯片的出光效率.pptVIP

如何提高芯片的出光效率 1、透明衬底技术 通常LED的衬底用GaAs材料，但GaAs是一种吸光材料，LED发出的光会被它吸收，降低出光效率。为此，在外延成PN结后，用腐蚀的方法GaAs衬底去除，然后在高温条件下将能透光的GaP粘贴上去做衬底，使PN结射出光通过金属底板反射出去，提高出光效率。 这种方法在制作InGaAlP四元芯片时，在去除GaAs衬底后先用粘贴方法制作一层金属镜面反光层，然后再粘贴基板，这样使射向衬底的光放射到出光面，使芯片出光效率提高。 2、芯片表面粗化法 由于GaN的折射系数η1=2.3，与空气折射系数η1=1相差较大，其余反射临界角仅为 25°，使大部分光不能逸出到空气中去，出光效率较低。为此，通过改变GaN与空气的介面的几何形状，使全反射临界角增大，提高出光效率，这就是通过芯片表面粗化的方法来实现。图29-2示出芯片出光面示意图。 MQWW 金属反射层 W 衬底W W 芯片倒梯形结构。CREE公司有一款芯片采用倒梯形结构后也提高了光强，如图29-3。由于这种结构的芯片其边缘部分的全反射临界角增大，光子逸出率提高，并能从碗腔射出，提高光强和出光效率。 衬底 N MQW P