基于SiO2%2fHfO2%2fA2lO3隧穿层的Co纳米晶存储电容研究.pdfVIP

基于SiO /HfO /A lO 隧穿层的Co纳米晶存储 2 2 2 3 电容研究 * 黄玥，苟鸿雁，丁士进 专用集成电路与系统国家重点实验室，复旦大学微电子研究院，上海 200433 摘要：本文根据隧穿层能带工程提出的“可变氧化层厚度”的概念，设计了SiO /HfO /A lO 叠层作为纳米 2 2 2 3 晶MOS 电容的隧穿层。利用金属层夹在隧穿层和控制层中间再进行退火处理会限制原子流动的特性来形成 Co纳米晶。SiO /HfO /A lO /Co纳米晶/Al O 构成的MOS 电容在 1 MHz频率±7 V 的扫描电压范围下净C-V 2 2 2 3 2 3 滞回窗口能够达到 1.98 V；其平带电压随着编程和擦除电压的增大分别向正方向和负方向漂移，直到出现 饱和。这种现象可由库仑阻塞效应引起的库仑充电能来解释。从编程和擦除操作对应的能带示意图上可以 看出，不同偏置电压下电荷对应的能量势垒不同，即有效隧穿电学厚度是可变的，从而导致了电荷隧穿机 制的不同。 关键词：Co 纳米晶；非挥发存储器；能带工程；库仑阻塞效应 随着半导体工艺技术不断的按比例缩小，传统的基于连续多晶硅浮栅的快闪存储器面临 着严重挑战——隧穿氧化层的减薄导致数据保持能力的退化。于是近年来，采用分立纳米晶 作为电荷存储单元的存储结构受到了极高的重视，并成为最有可能替代传统多晶硅浮栅存储 器的新一代高速、低功耗存储器[1] 。在各种纳米晶存储器中，金属纳米晶拥有众多优点，比 如和导电沟道有更强的耦合，可选功函数范围较大，费米能级附近态密度较高[2]，载流子限 制效应引起的能力扰动更小[3]等。就金属纳米晶的形成方法而言，目前通常是先采用电子束 [4] [5] 蒸发 或溅射 等物理气相淀积的方法在隧穿氧化层上制备一层金属薄膜，然后进行快速热 退火使金属薄膜在表面张力的作用下自发形成纳米晶[3] 。有报道称在淀积好阻挡氧化层后再 进行退火处理，可以得到小尺寸高密度的金属纳米晶：因为金属位于上下两层介质中间，其 流动性受到一定限制而难于凝聚成较大的晶体颗粒[6] 。金属Co 的功函数高达 5.0 eV，比Si 的电子亲和能大 1.05 eV[7]，因而被Co纳米晶捕获的电子更难逃离，若应用在金属纳米晶存 [8] 储器上可以显著改善存储器的保持特性 。 另一方面，为了克服隧穿氧化层厚度选择上的两难，Govoreamu等人提出“可变氧化层 [9] 的概念，即采用介电常数不同的多种绝缘材料构成隧穿氧化层。因为介 厚度（VARIOT ）” 电常数不同而使隧穿层各层的分压不同，电场的再分布使隧穿势垒层厚度实际上是变化的。 相比单层隧穿氧化层，多层隧穿层结构可以在相同偏压下得到更薄的势垒。他们能够将编程 电压减小50% 。Fernanda[10]和Seol[11]都报道了采用双层不对称隧穿势垒的纳米晶存储器可以 显著改善保持特性。鉴于以上考虑，本文研究了基于后退火处理Co纳米晶MOS 电容的存储 效应，其中结合了能带工程中的不对称SiO /HfO /A lO 叠层隧穿层，结果显示出良好的编 2 2 2 3 程/擦除特性。 基金项目：教育部重点科技计划（108052）、新世纪优秀人才计划（NCET-08-0127 ）和国家重大专项（2009ZX02302-02 ）资助 作者简介：黄玥（1983-），女，博士研究生。E-mail：081021037@fudan.edu.cn； 通讯联系人：丁士进，男，教授。E-mail：sjding@fudan.edu.cn 1．实 验 电阻率为4-8 Ωcm 的p型（100）硅片经过标