电源转换-硅与氮化镓器件.pdfVIP

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  • 2017-08-22 发布于湖北
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应用笔记 电源转换:硅与氮化镓器件 硅功率MOSFET在电源转换领域的 发展已经走到尽头了吗? 宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow博士 在 过 去 3 0 多 年 中 , 随 着 我 们 日 常 生 活 对 电 能 需 求 的 不 断 增 加 , 功 率 开启GaN新时代 MO S F ET结构 、技 术 和 电 路 拓 扑 也紧跟着不断创新,电源管理效率和成 H E M T (高电迁移率晶体管)GaN晶体 本随 之而得 到了 稳 步 改 善 。 然 而 在最近几年,随着硅功率MOSFET逐渐 管最早出现于 2 0 0 4 年左右,当时日 本的 Eudyna 公司推出了一种耗尽型射 接近其理论极限,这种改善速度也在不断减缓。 频晶体管。通过在碳化硅基板上使用

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