蓝宝石衬底LED晶片建设项目工艺技术及MOCVD.docVIP

蓝宝石衬底LED晶片建设项目能源是人类生存和发展的重要物质基础，也是全面建设小康社会、加快推进社会主义现代化建设的重要物质基础。能源问题事关经济发展、社会稳定和国家安全。随着现代化、工业化、城镇化加速推进，居民消费结构不断升级，能源消费量将持续大幅度增长，能源与资源、环境和社会发展的矛盾日益突出半导体照明作为一种节能降耗、绿色环保的高技术产品，将给人类的照明带来一场革命，与传统照明相比，LED固态照明有着明显的节能优势，耗电量仅仅是普通光源的25%，而使用寿命则是传统光源的10倍，并且不产生热量，不存在火灾安全隐患。照明、LCD背光及显示广告牌项目用地位于江苏省徐州经济开发区内，工程建设用地面积177650m2，合266.50亩，工程用地三面临城市道路，东面开发区规划路，西面为徐贾快速路，北面为徐海公路。项目为总体规划分期实施，总体规划为140台MOCVD机台产能，工程总建筑面积193428.44 m2，一期设计为70台MOCVD机台产能一期建筑面积66645.56m2。项目中间产品为2英寸和4英寸LED外延片，最终产品为100~120lm/w的蓝光LED管芯晶粒。磊芯片对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。1、衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近、晶格常数失配小、结晶性能好、缺陷密度低； 2、衬底与外延膜的热膨胀系数匹配：热膨胀系数的匹配非常重要，外延膜与衬底材料在热膨胀系数上相差过大不仅可能使外延膜质量下降，还会在器件工作过程中，由于发热而造成器件的损坏； 3、衬底与外延膜的化学稳定性匹配：衬底材料要有好的化学稳定性，在外延生长的温度和气氛中不易分解和腐蚀，不能因为与外延膜的化学反应使外延膜质量下降； 4、材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要，衬底材料的制备要求简洁，成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。 目前市面上一般有三种材料可作为衬底： ·蓝宝石（Al2O3） ·硅 (Si) ·碳化硅（SiC） 通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，目前大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。碳化硅衬底的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。硅衬底的芯片电极可采用L接触和V接触。通过这两种接触方式，内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的的导热性能。项目外延片以蓝宝石作为衬底。磊芯片磊芯片图1 磊芯片（MOCVD）生产工艺流程图 MOCVD技术的应用，使蓝、绿LED得到了迅猛的发展。MOCVD技术特点： （1）所有原材料都以气态输入反应腔，可以通过精确控制各种原材料源和掺杂剂气体流量来控制外延层的组分、掺杂浓度、超微结构和厚度等。 （2）晶体生长是从原材料热分解开始，在一定温度下沉积不同物质而生成多层超薄膜结构的外延片。重复性好，便于批量生产。 （3）晶体的生长速率决定于源气的供给量，并且可以在较大范围内调整外延生长速度。 （4）采用低压生长，可以减小外延生长过程的存储效应和过度效应，因此，异质界面可以实现单原子层突变，适合超薄层结构生长。 （5）生产过程可实现自动化控制。 （6）可以适合多种成分的外延片生产。 这样就可以很方便地生长各种高质量的量子阱超晶格材料，生产高亮度LED外延片。 MOCVD磊芯片生产的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要为蓝宝石，其余有SiC、Si）上，反应物为液态和固态的金属物质TMGa与TMIn.，其需要使用蒸发器使其蒸发或升华，再以H2、N2作为载气将反应物带入反应室内，而在外延反应炉内的高温高压无氧环境下，其与 NH3经高温加热分解后形成 Ga 原子与N基原子，藉由H2、N2有控制地依序输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。 Ga(CH3)3+ NH3 GaN+4CH4 第一步：在540℃时，生长GaN缓冲层，厚度约25nm。 第二步：在1050℃时，生长GaN的N电极层，厚度约4um。 第三步：在800℃时，生长InGaN发光层，厚度约250nm。 第四步：在850℃时，生长GaN的P电极层，厚度约800nm。 上述在发光层之间形成GaN/ InGaN量子阱，量子阱靠近N电极层的一侧提供电子，而量子阱靠近P电极层的一侧提供电洞，当电当电子与电洞在量子井内发生有效的辐射复合，即会以发光的形式呈现如何控制