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四川省电子学会、|三导体与集成技术专委2009年度学术年会论文集
硅材料中氮化硅盖帽层引入应力的研究
仝冯凄I扬阳‘车竟春I
1(『U了薄膜々集成％件国家重点实验室成都610054)
摘要： 针对局部产生心力的麻变硅拉术，奉文采用高频PB叫D方法．枉R摧片P特别淀积不同厚度的氮化#膜，面过
-☆分辨x蛐对蚪L样品进行摇摆卑测试，Ⅱ实了采用诚方法能拒硅材料中…^压戍力，并日得到J≮力太小随厚度的变化美系。
关键词：I艺薛生成力氮化徒盖帽层xRD
ResearchofStrainedSiliconinducedSiN
by CapLayer
QuanPengxi‘YangYang。LiJingchenl
610054)
CPengdu
strainofstrained SiN s[rgssor
ABSTRACT：Accordingtothelocal caplayer
conventionalCMOS hasbeen By X-rayDiffraction，the
by process developedusingHi曲-resolmion rocking
Ⅲeshowsthat strainhasbeeninducedinthesilicon
compressive structurebythismethod
strainSiN XRD
caplayer
Keywords：Process-induced
2实验方法
已报道的采用了SiN盖帽层作为币心山村垫
stressed
(Compressive
所示。
近年柴，由于在工艺兼秤性咀发提高电路性
唯方血的优势，麻变硅技术得到丁人们的广泛关
注。血娈硅技术从作用范隔上可以分为全局应变 ■船
和局部应娈。其中局部应盘出r是通过 定T艺
往局部范刚内(如沟道，源漏掺杂区等)引入以
坐实现的，从而又叫做丁艺诱生应变即Process- 嘲
Strain。
induced
T艺诱生麻变技术主要包括．浅槽隔离 目I采月rsiN作为H脚力村蚺的PMOSFET
(ST[)引入应娈、氮化硅盖帽培；l^应山、腑为了研究盖帽崖对下面淘道的影响，本文竹
Memorization
山记忆技术(Stress Technique，
先在硅衬底上热生长了20nm的Si02．然后采用
SiGe)…∽。‘
SMT)、嵌^式锗硅(Embedded NikonNSR2005i9分步投影光刻机刻蚀山
经研究发现，通过向NMOSFET中引入张应
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