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结。问题在于阱结的退出通道使用从阱到电源串联在一起 供高质量硅片,而较多掺杂质的衬底则从工作的器件区域
的较小晶体管。这就设置了一个与N阱结串联的适当阻抗, 吸收杂散电流。轻微掺杂质 的外延层和较多掺杂质的衬底
而N阱结将以极低的电流电平正向偏置寄生PNP晶体管的 形成的结提供内置场,将多数载流子引导至衬底,注入的少
基极一射极结。 数载流子也反射回外延层。结合的影响就是使保护环更加
图4显示另一个有问题布线的例子,其中较小簇的数 有效。
字逻辑布设在近邻高压 I/O单元处。图中显示物理上最接 最后,ESD保护结构会影响闩锁性能。简单的二极管
近垫片(pad)的标准单元门已经被驱动至闩锁并且被损坏。 结能够分流可能造成潜在有害的电流。这会增加给定输出
在随后的修改中,逻辑被移至更远,但仅在应用了保护条时 拓扑结构的闩锁免疫性。相反,具备双极特性的ESD保护
器件才会通过闩锁。物理隔离并不会确保闩锁免疫。互补 结构(如骤回或SCR结构)可能拥有低至足以被闩锁应力触
保护环有必要恰当地汇集由 I/O注入的少数载流子和多数 发的维持电流。因此,必须注意确保ESD结构在合理的过
载流子。 应力状况期间不工作。
结论
汽车工业中存在的严格元件认证程序要求芯片设计人
员从项 目的最早阶段就可恰当地解决闩锁故障方面的潜在
问题。未能满足特定的免疫性要求,可能导致延迟或重新开
始的设计工作,这将会使成本更为高昂。
第一步的分析能够预测闩锁阈值,而这应针对创建片外
连接的任何晶体管而进行。配备这方面的基础信息,设计人
图4 20VCMOS结构显示由不 良布线导致的闩锁损 员就能够运用最佳的布线惯例来减轻闩锁敏感性。单独对晶
体管进行物理隔离并不足以满足AEC—Q-10o或JEDEC闩锁
其它考虑 标准,虽然起始材料的选择将影响器件对闩锁的敏感度。建
外延起动材料的使用 已经成为降低闩锁敏感度 的一个 议设计人员在考虑闩锁的同时也采取措施确保ESD免疫性,
非常流行的选择。本质上讲,轻微掺杂质的外延层为 lC提 增强ESD保护措施,而非削弱闩锁免疫性。皿
Altera高性能DSP设计效能提高了一个数量级
Altero公司发布具有第二代模型 市场总监KenKarnofsky评论说:“DSP Builder工具 自动加入流水线级和寄
综合技术的DSPBuilder工具8.O。该 Builder是第二代基于模型的综合技 存器,通过时分复用生成高度优化的
技术使 DSP设计人员第一次能够 自 术 ,在设计高性能DSP时,客户可以借 功能设计,例如数字上变频(DUc)、下
动生成基于高级 Simulink设计描述 助该技术使用 Simulink作为建模、仿 变频(DDC)、峰值因子抑~U(CFR)和数
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DSPBuilder,设计人员在几分钟 内就 计人员在AlteraFPGA上实现 DSP功 能,使用户能够迅速完成系统级设
可以实现接近峰值FPGA性能的高性 能时的效能。” 计,针对载波带宽、载波数、天线和分
能设计。和手动优化HDL代码需要数 设计无线基站多载波、多天线 RF 区变化轻松调整设计。DSPBuilder
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