Degradation of Ultra-Thin Gate Oxide NMOSFETs under CVDT and SHE Stresses.pdfVIP

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2017-08-22 发布于湖北
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Degradation of Ultra-Thin Gate Oxide NMOSFETs under CVDT and SHE Stresses.pdf

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CHIN．PHYS．LETT Vo1．25，No．11(2008)4109 Degradation ofUltra-Thin GateOxideNM OSFETsunderCVDT and SHE Stresses HUShi—Gang(胡仕刚) ，CAPYan—Rong(曹艳荣)，HAPYue(郝跃)，MAXiao—Hua(马晓华)， CHENChi(陈炽)，wuXiao—Feng(吴笑峰)，ZHOUQing-Jun(N清军) SchoolofMicroelectronics，XidianUniversity,Xi’an 710071 KeyLabofMinistry ofEducationforW ideBand—CapSemiconductorMaterialsandDevices， Xidian University,Xi’an 710071 (Received10May2008) Degradationofdeviceundersubstratehot—electron(SHE)andconstantvoltagedirect—tunnelling(CVDT)stresses arestudiedusingNMosFETwith 1．4一nm gateoxides．Thedegradationofdeviceparametersandthedegradation ofthestressinducedleakagecurrent(sILC1underthesetwostressesraereported．Theemphasisofthispaper ison sILC and breka down ofultra-thin-gate—oxideunderthesetwo stresses．sILC increaseswithstresstime andseveralsoftbreakdowneventsOccurduringdirect—tunnellingrDT)stress．DuringSHEstress，SILCfirstly decreaseswithstresstimeandsuddenly fumpstoahighlevel，andnosoftbreakdowneventisobserved．ForDT iniection，theposiriveholetrappedintheoxideandholedirect—tunnellingplayimportantrolesinthebreakdown． ForS册 jn．jection．itisbecauseinjectedhotelectronsacceleratetheformationofdefectsandthesedefectsofrmed byhotelectronsinducebreakdown． PACS：73．4D．Qv．85．30．Tv Aggressivescaling down ofdevicedimensionsin technology．TheLDD NM0SFET i8asurfacedevice CM OS Technology has led to the gate oxide be— with anN+ poly—Sigate． Thegateoxidethickness coming extremely thin． Gate oxide degradation To ofthedeviceis1．4nm with decoupled-plasma- andbreakdown fBD)arecriticalproblemsformain nitridation fDPN1processing． Thedeviceshavea VLSI technologies such as