GaAs MESFET的热电子应力退化.pdfVIP

维普资讯 电子 产 品 可 靠 性 与 环 境 试 验 Dec2Oos o6 GaAsMESFET的热电子应力退化 朱炜容 -，-，黄云2 黄关浅 ，钮利荣 (1．华南理工大学物理科学与技术学院，广东 广州 510640； 2．信息产业部 电子第五研究所 ，广东 广州 510610； 3．南京电子器件研究所 ，江苏 南京 210016) 摘 要 ：进行GaAsMESFET的热电子应力试验，在24V≤V丑s≤28V，-5．5V≤．I，≤-4V的应力条件下，热 电子效应将导致GaAsMESFET直流参数的严重退化。退化模式主要表现为饱和漏电流 s减小，跨导g田减小， 夹断电压 。增大，击穿电压增大。从微波性能方面来看，热电子效应器件的输出功率增益大幅度下降。退化机 理主要是栅漏区表面及栅边缘俘获负电荷。 关键词 ：砷化镓；金属一半导体场效应晶体管；热电子效应；界面态；退化 中图分类号：TN386．1 文献标识码 ：A 文章编号：1672-5468 (2005)06-0032-04 ThehotelectrondegradationofGaAsMESFET ZHU Wei—rong一，HUANGYun，HUANG Mei-qian，NIULi-rong。 (1．SouthChinaUniversityofTechnology，Guangzhou510640，China； 2．CEPREI，Guangzhou510610，China； 3．NanjingElectronicDevicesInstitute，Nanjing210016，China) Abstract：ThehotelectronstresstestwasappliedonGaAsMESFETwiths~essconditionsof 24V≤VDs≤28V and一5．5V ≤VGs≤一4V．Thedegradationmodesobserved includesaturated drain current， transconductancereduction， pinch-off voltage increase and breakdown vohage walkout．From theview pointofmicrowaveperformance，hotelectron effectinducespowerslump． Themechanism forthedegradationmaybethetrapofnegativechargeduetotheinterfacestatesin thepassivationbetweengateanddrain． Keywords： GaAs；MESFET；hotelectron；interfacestates；degradation 1 引言 要有两个重要原因：1)它 的微波性能及高速性能 十分优越 ；2)结构及工艺简单。 MESFET是 GaAsMMIC中最常用 ，也是最成 MESFET的前一个特点主要来 自GaAs材料方 熟 的一种三端有源器件 ，是微波频率 的功率放大 面的贡献，后一个特点则很容易使人联系到高成 器 、开关等 电路 中主要的有源器件 。尽管在它之 品率和低成本 的经济利益 。 后又相继地 出