GaxPy（x＋y=8）及其阴离子团簇的结构与性质的DFT研究.pdfVIP

维普资讯 物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) October ActaPhys．一Chim．Sin．，2006，22(10)：1253-1259 1253 A【rticle】 www．whxb．pku．edu．cn GaxP(+=8)及其阴离子团簇的结构与性质的DFT研究 郭彩红 贾建峰 郭 玲 武海顺 (山西师范大学化学 材料科学学院，山西 临汾 041004) 摘要 用密度泛函理论方法对半导体二元微团簇Ga,P和GaP( =8)的几何结构、电子态、能量等进行了计算， 在B3LYP6／．311+G(2dj)水平下完成结构优化和频率分析．讨论了电荷诱导结构发生变化情况，与中性团簇相比， 在阴离子团簇中，Ga—P键较P__P键有利于形成．预测了未知 GaP=、Ga 、(ja 、Gaspi和Ga 化合物的最稳 定结构存在的可能性，得出在GaP、和Grd +)．=8)中，Gasp和Ga 比较稳定．给出了两种能差即绝热电子亲合 势(△ )和垂直电离能(△ )，并与相关文献作比较．Ga 和Ga 的绝热电子亲合势与实验值相当吻合．布居 分析表明，磷化镓团簇的成键属于}昆合键型． 关键词：密度泛函理论，Ga 和Ga 团簇，布居分析，垂直电离能，绝热电子亲合势 中图分类号： 0641 StudyontheStructureandPropertyoftheNeutralGaxP (x+y=8)and AnionicGallium PhosphideClustersUsingDFT GUO，Cai—Hong JIA，Jian—Feng GUO，Ling WU Hai—Shun (SchoolofChemist~．andMaterialScience，ShanxiNormalUniversity，Linfen 041004，P．R．China) Abstract Structure，electronicstate，andenergyofsemiconductorbinarymicro—clusters，GatP、andGa,P ，having eightatomshavebeencomputedusingdensityfunctionaltheory (DFI)method．Structuraloptimizationandfrequency analysisareperformedattheB3LYP6／—31l+G(2df)leve1．Thechraged—inducedsrtucturalchangesoftheseanionshave beendiscussed．ThesrtongGa——PbondisfavoredovertheP——PbondinGaJ’Y一(+)．=8)，incomparisonwiththe correspondingneutralcluster．Thecalculationspredicttheexistenceofpreviouslyunknownisomers(i．e．GalP~-，Ga2P6， Ga ，Ga最，andGa7Pf)．AmongdifferentGaZandG (x+y8)clusters，Ga只 andGa,P~raemorestable．Twotypes ofenergysepraationsraereportedin t