Impact of substrate injected hot electrons on hot carrier degradation in a 180-nm NMOSFET.pdfVIP

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2017-08-22 发布于湖北
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Impact of substrate injected hot electrons on hot carrier degradation in a 180-nm NMOSFET.pdf

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Impact of substrate injected hot electrons on hot carrier degradation in a 180-nm NMOSFET.pdf

Chin．Phys．B Vo1．23．No．11(2014)117304 Impactofsubstrateinjectedhotelectronsonhotcarrierdegradation ina180．nm NM oSFET木 LiangBin(梁斌)，ChenJian—Jun(陈建军)十，andChiYa—Qing(池雅庆) SchoolofComputerScience，NationalUniversityofDefenseTechnology,Changsha410073 China ， (Received7April2014；revisedmanuscriptreceived5June2014；publishedonline24September2014) Althoughhotca~iersinduceddegradationofNMOSFETshasbeenstudiedfordecades．theroleofhotelectronin thisprocessisstilldebated．InthisPaper’theadditionalsubstratehotelectronshavebeenintentionallyiniectedintothe oxidelayertoanalyzetheroleofhotelectroninhotcarrierdegradation．Theenhanceddegradationandthedecreased timeexponentappearwiththeinjectedhotelectronsincreasing，thedegradationincreasesfrom21．80％to62．00％and thetimeexponentdecreasesfrom0．59t00．27with decreasingfrom0V to一4V atthesametime，therecoveryalso becomesremarkableandwhichstronglydependsonthepoststressgatebias ．Basedontheexperimentalresults．more unrecoveredinterfacetrapsarecreatedbytheadditionaliniectedhotelectronfromthebreakingSi-Hbond．buttheoxide trappednegativechargesdonotincreaseafterarapidrecovery． Keywords：substratehotelectroninjection，hotcarrierinjection(HCI)degradation，interfacetrap，oxide trappedcharge PACS：73．40．Qv，85．30．Tv DoI：10．1088／1674—1056／23／11／1l7304 1．Introduction ThehotholescanbreakhteSi-ObondsandthebrokenSi-O bondscannotrecover．then≈ 0．5timeexponentofthedegra— Althoughhotcar