Snapback应力引起的90nm NMOSFET’s栅氧化层损伤研究.pdfVIP

维普资讯 第56卷 第2期 2007年2月 物 理 学 报 Vo1．56，No．2，Feburary，2OO7 1000．．329012007156(02)I1075．．07 ACIAIPHYSICA SINICA @2oo7Chin．Phys．Soe． Snapback应力引起的90nmNMOSFET’S 栅氧化层损伤研究* 朱志炜 郝 跃 马晓华 曹艳荣 刘红侠 (西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室。西安 710071) (2OO6年6月19日收到；2006年7月6日收到修改稿) 实验结果发现突发击穿(snapback)。偏置下雪崩热空穴注入 NMOSFET栅氧化层 。产生界面态，同时空穴会 陷落 在氧化层中．由于栅氧化层很薄 ，陷落的空穴会与隧穿入氧化层中的电子复合形成大量中性电子陷阱，使得栅隧穿 电流不断增大 ．这些氧化层电子陷阱俘获电子后带负电，引起阈值 电压增大、亚阈值 电流减小 ．关态漏泄漏 电流的 退化分两个阶段 ：第一阶段亚阈值 电流是主要成分，第二阶段栅 电流是主要成分．在预加热电子 (HE)应力后 ，HE产 生的界面陷阱在 snapback应力期问可以屏蔽雪崩热空穴注入栅氧化层 ，使器件 snapback开态和关态特性退化变小． 关键词：突发击穿，软击穿 ，应力引起的泄漏电流 ，热电子应力 PACC：7220J，7340Q，7300，7155H 功能电路的性能，严重时引起电路失效．由于 自保护 1．引 言 器件也会受到热载流子 (HC)应力的作用…，在 HC 应力后保护器件的EOS退化也会发生变化． 集成电路的输出电路通常使用 自保护MOSFET 本文对 9Onm CMOS工 艺 NMOSFET进 行 了 结构，即输出驱动倒相器的下拉 NMOSFET在超大规 Snapback应力实验，研究了应力引起的栅氧化层损 模集成电路(VISI)正常工作时作为输出驱动电路的 伤和特性，测试结果与 以前的研究结果 卜 有很大 一 部分，而在电过应力(EOS)发生时又可以作为保 区别 ．为了研究这些退化特性 ，对 snapback应力期 间 护结构，以保护 内部电路不受破坏．NMOSFET作为 器件的线性区最大跨导、饱和漏电流、阈值 电压、关 保护结构的原理为：在 EOS作用下 NMOSFET内部 态漏泄漏 电流等参数进行了测量分析，对 snapback 的寄生横向双极晶体管开启，此时 NMOSFET进入 应力引起器件特性退化的机理进行了解释；为了研 snapback偏置模式，从而可 以泄放掉 EOS产生的大 究 HE应力和 Snapback应力的耦合作用，还对预加 电流．自保护结构的最重要的便利之处是节省了很 HE应力前后的 snapback退化特性进行了对比和分 大的面积、减少了 I／O电路的电容负载，随着 CMOS 析，本文的研究为设计有效的自保护器件提供了理 VISI工艺的进步，MOS器件栅氧化层厚度不断减 论基础 ． 薄，工作电压也不断降低，NMOSFET自保护器件栅 氧化层击穿电压已经接近于漏衬结雪崩击穿电压， 2．器件和实验 I／OMOS器件对外部 EOS电压越来越敏感，如果保 护结构不能完全吸收EOS能量，很小的过电压都会 实验用的样品均为采用90nm标准CMOS工艺 造成 自保护器件栅氧化层产生损伤甚至直接发生栅 的LDDNMOSFET，宽长 比 ／L=20x／nd0．09ftm，栅 击穿．对于超薄栅氧化层 MOS器件，非破坏性 的 氧化层厚度 1．4nm，栅氧均经