一种新型的嵌入式Flash存储器介绍.pdfVIP

维普资讯 transistor器件相 比，该Superflash及Memory cel1技术在设 一 种新型的嵌入式F1aSh存储器介绍计、制造和做为逻辑器件中嵌入式flash应用方面都有着一系 列重要的优势。这些优势可以帮助缩短产品生产周期，提高器 件的可靠性。 杨鹏-、2刘恩峰- 上海交通大学微电子学院一- 杨斌2 上海华虹NEC电子有限公司存储器技术开发部一2 与其他EEPROM发展方向相比，Superflash技术工艺简单， 光刻步骤较少，从而大大节约了制造成本。通过减少潜在缺陷 密度 (比如光刻步骤的减少，意味着后续工艺的缩减，从而使 得可能造成器件失效的机制减少，缺陷密度降低)，可靠性得 摘 要：本文介绍了一种嵌入式应用的存储器工作原理。 以提升。通过使用较厚的隧穿氧化层Tunneling oxide，避免 该存储器结构的基本单元为分离栅结构，采用电场增强型隧穿 了薄氧由于因碰撞 电离造成cell失效的可能，耐久性得以进一 进行擦除操作，利用沟道热电子注入机制进行编程。接着，本 步提升。 文介绍了存储器可靠性方面的问题。最后，介绍了下一带非挥 大多数NOR快闪存储器供应商采用传统的叠栅快闪存储单 发性存储器的发展状况。 元，但SuperFlash EEPROM技术则采用电场增强隧穿沟道热电 关键词：控制栅、浮栅、电场增强型隧穿、沟道热电子注入 子注入分离栅存储单元。对于一个给定的工艺技术，分离栅存 储单元的尺寸与一个单管叠栅单元相当，但它具有与传统的、 1．引言： 字节可改写的两管EEPROM单元一样的性能和可靠性方面的 与静态随机存储器 (SRAM)和动态随机存储器 (DRAM)这 优势 。这种设计通过把每个存储单元与位线隔离开，使同一页 样的挥发性存储器 (VolatileMemories)相 比，非挥发性存储 内所有字节可以被同时擦除，从而消除了叠栅单元的过擦除问 器 (Non—Volatile Memories，NVM)是当电源暂时中断或器件 题。另外，在任何一个高压操作过程中，每一页与其他任何页 无限期处于断电状态时，仍能保持已存储数据的一种元件，而 都是完全被隔离的。 前者则会丢失存储的信息。 2．2电场增强型沟道注入EEPROMcell介绍： 理想的不挥发性存储器应能提供最低的每位成本、高密 电场增强型沟道注入EEPROM快闪存储单元是一种单一晶体