X射线轫致辐射厚靶模型的改进及其在太阳耀斑观测中的应用.pdfVIP

第 53卷 第 2期 天 文 学 报 Vo1_53 NO．2 2012年 3月 ACTA ASTRONOMICA SINICA Mar．，2012 博士学位论文摘要选登 X射线轫致辐射厚靶模型的改进 及其在太阳耀斑观测中的应用 苏 杨 十 (中国科学院紫金山天文台南京 210008) 本文主要讨论对不同电离度分布厚靶模型的改进以及在耀斑 x射线观测中推导非热电子、电离度 和靶密度分布的应用． 首先改进了太阳物理软件包 (SolarSoftWare)中集成的厚靶和薄靶模型通用计算程序．新版程序 调整了两个积分的顺序，使其中一个不再需要通过数值积分求解，同时将积分空间由能量调整到其对 数空间，从而将运行速度提高了至少 10 100倍，且计算精度也有所提高． 其次，详细研究了解释耀斑双幂律谱的理论之一 一 非均匀电离厚靶模型．在已有模型的基础上， 我们使用了考虑相对论效应的更精确的轫致辐射截面和两种电离度分布，即阶梯式和线性式电离度分 布，并分析其能谱谱形的特点．结果发现阶梯式电离靶所造成的谱弯折 △7具有上限，约 0．2^一O．7，其 大小同电子分布谱指数有关．线性式电离靶所产生的谱弯折要略小．利用这个关系，通过对 RHESSI 观测到的20个近边缘耀斑事件峰值时刻的谱做谱形分析，并使用蒙特卡洛方法确定拟合参数的不确定 范围，我们发现 l5个耀斑具有 0．34—1．45的谱下折，而其他 5个具有单幂律谱．这 15个耀斑中至 少有 6个具有较大的谱弯折而无法由单幂律电子分布入射到非均匀电离厚靶来解释，剩余的9个耀斑 则同该模型一致．此外，拟合结果还显示，至少在所研究的耀斑中，目前的观测数据无法分辨出阶梯式 和线性式电离度分布． 由于非均匀电离造成的谱形较特殊，不但具有谱下折，在较低能段还有谱上折，因此，单独的谱 下折并不能作为非均匀电离的确实证据．为了寻找非均匀电离的完整证据，我们选择了20个耀斑中完 全电离等离子体的柱密度M 最大的耀斑 (2002年 10月 31日观测到)进行详细研究，这是最有可能 观测到谱上折的事件 (较大的J7v，会使 x射线能谱中产生的谱上折位于热辐射能量之上从而可以被观 测到)．谱分析证实，谱上折和谱下折确实同时存在于同一时刻的能谱中．这也是首次观测到非均匀电 离靶的完整谱形．尽管谱上折和下折可分别由其他的物理过程造成，非均匀电离靶是唯一一个可同时 解释该耀斑所具有的上 一下折能谱谱形及其时间变化的最简单的模型． 此外，基于上述模型，我们利用柱密度来计算不同深度 ND之上和之下的光子能谱，并以此拟合 RHESSI所得的对应上下两源的像谱．我们发现足点部分的源在低能端确实存在同理论预期一致的谱 变平，这有助于理解电子在环中的传输等过程．进一步计算上源的光子流量随柱密度的分布，我们不需 任何密度假设而得到耀斑环中的密度分布及其随时间的演化，同时还推得电离度变化的深度．这也是 首次在耀斑观测中确定中性气体和电离气体分界面的位置．我们的结果支持有碰撞的厚靶模型以及色 球蒸发理论． t2011—01—08获得博士学位，导师：紫金山天文台甘为群研究员；yang．su@nasa．gov 182 天 文 学 报 53卷 Im provem entstotheX—ray Brem sstrahlung Thick—targetM odelandTheirApplicationsto Solar FlareObservations su Yang (PurpleMountainObservatory，ChineseAcademyoISciences，Nanjing210008) Inthisdissertation．wefocusontheimprovementstothenonuniform ionizationthick— targetmode