MEH-PPVSiO_2异质结发光机理和非晶SiO_2二次特性的研究.pdfVIP

第29卷，第 12期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vo1．29，No．12，pp3223—3227 2009年 12月 SpectroscopyandSpectralAnalysis December，2009 MEH-PPV／SiO2异质结发光机理和非晶 SiO2二次特性 的研究 曲 崇 ，徐 征 ，陈跃宁 1．鲁东人学物理与电子工程学院，山东 烟台 264025 2．北京交通大学光 电子技术研究所，北京 100044 摘 要 在薄膜电致发光中采用有机聚合物MEH—PPV和无机半导体Si()2复合制成异质结发光器件，利用 SiO2的加速、倍增和离化的二次特性，实现了固态阴极射线发光。结构为 ITO／SiOz／MEH—PPV／SiO ／Al的 发光器件，其电致发光光谱的显著特征是有两个发光谱带。光谱中除了波长较长 (峰值为 583nm)的MEH PPV的激子发光谱外 ，还观察到了波长较短 (峰值为403nm)的蓝色发光谱，并且长短波的发光强度随着电 压的不同而变化。电压较低时，只有长波光发射。当电压较高时，只有短波光存在。这种有两个谱带的发光 是固态阴极射线发光的独特标志，它是一种全新的激发方式，引发出发光学中一些新而重要的问题。同态阴 极射线发光理论的重要方面之一就是Si()的二次特性。文章研究 了同态阴极射线发光动力学问题，高电场 下 Si0z二次特性及厚度对二次特性的影响。 关键词 异质结；过热电子；固态阴极射线发光；SiOz二次特性 中图分类号：TN383+．1 文献标识码 ：A DOI：10．3964／j．issn2009)12-3223—05 加速更加有效，从而获得更有效的发光。在分层优化 电致发 引 言 光的改进和发展中，我们利用非晶或多晶的半导体 Si 的 二次特性 (既有电子传输、电子倍增，又有激发或离化)，存 薄膜 电致发光器件 以其固态平板化、主动式发光、响应 器件中采用半导体Si()2作为电子加速材料，经 si 层加速 速度快、抗震性好、视角宽等优点，在未来信息 示领域有 后 的电子成为过热 电子 ，能量可 以达到 10eV 以上 ，这些过 很好 的发展前景 。根据发光材料 的不同，电致发光可 以分为 热电子碰撞激发有机材料得到了有机材料的发光，我们称之 有机电致发光和无机电致发光。用于薄膜电致发光的有机发 为固态阴极射线发光。 激发机理上，它 传统的真空阴极 光材料和无机发光材料 ，各有 自己的优点和不足。有机 电致 射线发光的激发是相同的，都是由于过热电子的动能引起的 发光材料驱动电压低，成膜工艺简便，色彩丰富，柔韧性好 ， 碰撞激发或离化。二者的根本区别在于电子的加速环境不 但载流子迁移率较低 ，器件的发光效率也 比较低等r1 ；而 同，一个是在吲体巾，一个是在真空中。固态阴极射线发光 无机 电致发光材料稳定性好，多为电子输运型，主要 问题是 是经过普适性证明的实验现象。这一现象已经在多种有机小 缺少符合实际应用要求的蓝色发光材料。兼备二者的性能优 分子和聚合物材料上得到实现 。固态阴极射线发光小同 势，制备优势互补的有机无机复合器件，可根据实际需要实 于发光二极管、无机电致发光和有机 电致发光 ，这是一种全 现对材料功能的 “剪裁”和 “组装”。 新的发光形式。继续改进和提高发光性能，可为新一代平板 无机 电致发光的机理是电子在 电场的作用下加速成为过 显示技术提供理论及技术基础。 热电子，过热电子碰撞发光中心并将其激发至激发态，然后 发光中心复合而发光。在系统研究无机薄膜电致发光器件中